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1. WO2020158023 - ÉLÉMENT DE BATTERIE SOLAIRE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET MODULE DE BATTERIE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2020/158023
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/033299
Date du dépôt international 26.08.2019
CIB
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
H01L 21/285 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H01L 21/288 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
H01L 29/43 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
H01L 31/068 2012.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
CPC
H01L 21/285
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
H01L 21/288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
H01L 29/43
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
H01L 29/47
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
47Schottky barrier electrodes
H01L 29/872
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
872Schottky diodes
H01L 31/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
Déposants
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 城内 紗千子 JOUNAI, Sachiko
  • 増田 淳 MASUDA, Atsushi
  • 鯉田 崇 KOIDA, Takashi
  • 柴田 肇 SHIBATA, Hajime
Mandataires
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
2019-01375630.01.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLAR BATTERY CELL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR BATTERY MODULE
(FR) ÉLÉMENT DE BATTERIE SOLAIRE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET MODULE DE BATTERIE SOLAIRE
(JA) 太陽電池セルおよびその製造方法並びに太陽電池モジュール
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to improve the reliability of a solar battery. In the present invention, a solar battery cell (CL) comprises a back electrode (BE), a p-type semiconductor layer (semiconductor substrate 1S) disposed on the back electrode (BE), and an n-type semiconductor layer (NL) disposed on the semiconductor substrate (1S). The solar battery cell (CL) furthermore comprises: an anti-reflection film (ARF) disposed on the n-type semiconductor layer (NL), the anti-reflection film (ARF) being made of an insulating film; surface electrodes (SE) penetrating the anti-reflection film (ARF) to reach the n-type semiconductor layer (NL); and an electroconductive film (CF) disposed on the anti-reflection film (ARF) so as to cover the surface electrodes (SE), the electroconductive film (CF) being translucent and being electrically connected to the n-type semiconductor layer (NL).
(FR)
L'objet de la présente invention est d'améliorer la performance d'une batterie solaire. Dans la présente invention, un élément de batterie solaire (CL) comprend une électrode arrière (BE), une couche semi-conductrice de type p (substrat semi-conducteur 1S) disposée sur l'électrode arrière (BE), et une couche semi-conductrice de type n (NL) disposée sur le substrat semi-conducteur (1S). L'élément de batterie solaire (CL) comprend en outre : un film antireflet (ARF) disposé sur la couche semi-conductrice de type n (NL), le film antireflet (ARF) étant constitué d'un film isolant ; des électrodes de surface (SE) pénétrant dans le film antireflet (ARF)) pour atteindre la couche semi-conductrice de type n (NL) ; et un film électroconducteur (CF) disposé sur le film antireflet (ARF)) de manière à recouvrir les électrodes de surface (SE), le film électroconducteur (CF) étant translucide et étant électriquement connecté à la couche semi-conductrice de type n (NL).
(JA)
太陽電池の信頼性を向上する。太陽電池セル(CL)は、裏面電極(BE)と、裏面電極(BE)上に配置されたp型半導体層(半導体基板1S)と、半導体基板(1S)上に配置されたn型半導体層(NL)とを備える。さらに、太陽電池セル(CL)は、n型半導体層(NL)上に配置され、かつ、絶縁膜からなる反射防止膜(ARF)と、反射防止膜(ARF)を貫通してn型半導体層(NL)に達する表面電極(SE)と、表面電極(SE)を覆うように反射防止膜(ARF)上に配置され、かつ、透光性を有し、かつ、n型半導体層(NL)と電気的に接続された導電性膜(CF)とを備える。
Également publié en tant que
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