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1. WO2020157965 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2020/157965
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/003666
Date du dépôt international 01.02.2019
CIB
H01L 23/29 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29caractérisées par le matériau
H01L 25/07 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 25/18 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
CPC
H01L 21/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
H01L 23/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 山本 圭 YAMAMOTO, Kei
  • 六分一 穂隆 ROKUBUICHI, Hodaka
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor device (1) comprising a heat sink (3), an insulating layer (5), a leadframe (7), power semiconductor elements (9), a sealing resin (13), and fins (23). The heat sink (3) comprises a first primary surface (3a) and a second primary surface (3b) which is on the opposite side from the first primary surface (3a). The leadframe (7) including lead terminals (7a) is positioned on the first primary surface (3a) of the heat sink (3) with the insulating layer (5) interposed therebetween. The power semiconductor elements (9) are mounted on the leadframe (7). The sealing resin (13) is formed so as to cover an inner-side region (4b) which is positioned further toward the inner side than an outer circumference region (4a) which is positioned over the entire circumference along the outer circumference of the first primary surface (3a) of the heat sink (3). A first depression part (15) is formed in the outer circumference region (4a) on the first primary surface (3a) along the sealing resin (13).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) comprenant un dissipateur thermique (3), une couche isolante (5), une grille de connexion (7), des éléments semi-conducteurs de puissance (9), une résine d'étanchéité (13) et des ailettes (23). Le dissipateur thermique (3) comprend une première surface primaire (3a) et une seconde surface principale (3b) qui est sur le côté opposé à la première surface principale (3a). La grille de connexion (7) comprenant des bornes de connexion (7a) est positionnée sur la première surface principale (3a) du dissipateur thermique (3), la couche isolante (5) étant interposée entre celles-ci. Les éléments semi-conducteurs de puissance (9) sont montés sur la grille de connexion (7). La résine d'étanchéité (13) est formée de manière à recouvrir une région côté interne (4b) qui est positionnée davantage vers le côté interne qu'une région de circonférence externe (4a) qui est positionnée sur toute la circonférence le long de la circonférence externe de la première surface principale (3a) du dissipateur thermique (3). Une première partie de dépression (15) est formée dans la région de circonférence externe (4a) sur la première surface principale (3a) le long de la résine d'étanchéité (13).
(JA)
半導体装置(1)は、ヒートシンク(3)、絶縁層(5)、リードフレーム(7)、パワー半導体素子(9)、封止樹脂(13)およびフィン(23)を備えている。ヒートシンク(3)は、対向する第1主面(3a)および第2主面(3b)を有する。ヒートシンク(3)の第1主面(3a)に、絶縁層(5)を介在させて、リード端子(7a)を含むリードフレーム(7)が配置されている。リードフレーム(7)にパワー半導体素子(9)が搭載されている。封止樹脂(13)は、ヒートシンク(3)の第1主面(3a)の外周に沿って全周にわたり位置する外周領域(4a)よりも内側に位置する内側領域(4b)を覆うように形成されている。第1主面(3a)における外周領域(4a)には、封止樹脂(13)に沿って第1凹部(15)が形成されている。
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