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1. WO2020157877 - MODULE SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/157877
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/003243
Date du dépôt international 30.01.2019
CIB
H01L 25/065 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H01L 23/36 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 25/07 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 25/18 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
CPC
H01L 23/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
H01L 25/065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
Déposants
  • ウルトラメモリ株式会社 ULTRAMEMORY INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 奥津 文武 OKUTSU Fumitake
  • 安達 隆郎 ADACHI Takao
Mandataires
  • 正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki
  • 林 一好 HAYASHI Kazuyoshi
  • 崎間 伸洋 SAKIMA Nobuhiro
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR MODULE, SEMICONDUCTOR MEMBER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体モジュール、半導体部材、及びその製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention provides a semiconductor module, a semiconductor member, and a method for manufacturing the same that make it possible to improve heat dissipation efficiency. This semiconductor module 1 comprises: a power supply unit 40; a RAM unit 50, which is a RAM module having a facing surface disposed so as to face an exposed surface of a logic chip 20 and an exposed surface of the power supply unit 40, the RAM module being disposed across some of a plurality of logic chip signal terminals 22 and some of a plurality of power supply unit power supply terminals 41; and a support substrate 10 having a power feeding circuit capable of feeding electrical power to the logic chip and to the power supply unit 40, one main surface of the support substrate 10 being disposed adjacent to a heat dissipation surface of the RAM unit 50, which is the surface of the RAM unit 50 opposite the facing surface. The support substrate 10 is electrically connected, using the power feeding circuit 12, to at least some of logic chip power supply terminals 21 and the other power supply unit power supply terminals 41. The support substrate 10 has, at positions overlapping the RAM unit 50, heat dissipation vias 11 that penetrate in the thickness direction and come into contact with the heat dissipation surface of the RAM unit 50.
(FR)
La présente invention concerne un module semi-conducteur, un élément semi-conducteur et leur procédé de fabrication, qui permettent d'améliorer l'efficacité de dissipation thermique. Le module semi-conducteur (1) selon l'invention comprend : une unité d'alimentation électrique (40) ; une unité RAM (50), qui est un module RAM ayant une surface en regard disposée de façon à faire face à une surface exposée d'une puce logique (20) et une surface exposée de l'unité d'alimentation électrique (40), le module RAM étant disposé à certaines bornes d'une pluralité de bornes de signal (22) de puce logique et à certaines bornes d'une pluralité de bornes d'alimentation électrique (41) de l'unité d'alimentation électrique ; et un substrat support (10) ayant un circuit d'alimentation électrique apte à alimenter en énergie électrique la puce logique et l'unité d'alimentation électrique (40), une surface principale du substrat support (10) étant disposée adjacente à une surface de dissipation thermique de l'unité RAM (50), qui est la surface de l'unité RAM 50 faisant face à la surface en regard. Le substrat support (10) est connecté électriquement, à l'aide du circuit d'alimentation électrique (12), à au moins certaines des bornes d'alimentation électrique (21) de puce logique et aux autres bornes d'alimentation électrique (41) de l'unité d'alimentation électrique. Le substrat support (10) a, à des positions chevauchant l'unité RAM (50), des trous d'interconnexion de dissipation thermique (11) qui pénètrent dans le sens de l'épaisseur et viennent en contact avec la surface de dissipation thermique de l'unité RAM (50).
(JA)
放熱効率を向上可能な半導体モジュール、半導体部材及びその製造方法を提供すること。 半導体モジュール1は、電源部40と、論理チップ20の露出面と電源部40の露出面とに対向配置される対向面を有し、複数の論理チップ用信号端子22の一部と複数の電源部用電源端子41の一部とに跨って配置されるRAMモジュールであるRAM部50と、論理チップ及び電源部40に電力を供給可能な電力供給回路を有し、RAM部50の対向面とは逆の放熱面に一主面を隣接配置される支持基板10と、を備え、支持基板10は、論理チップ用電源端子21の少なくとも一部と、電源部用電源端子41の他部とに電気的に電力供給回路12を用いて接続されるととともに、RAM部50と重なる位置において、RAM部50の放熱面に接触して厚さ方向に貫通する放熱ビア11を有する。
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