Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020157815 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT

Numéro de publication WO/2020/157815
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/002855
Date du dépôt international 29.01.2019
CIB
H01L 29/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/06 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/872 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
86commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861Diodes
872Diodes Schottky
CPC
H01L 29/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
H01L 29/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
H01L 29/872
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
872Schottky diodes
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 海老原 洪平 EBIHARA Kohei
  • 日野 史郎 HINO Shiro
  • 宮崎 光介 MIYAZAKI Kosuke
  • 高木 保志 TAKAKI Yasushi
Mandataires
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT
(JA) 半導体装置および電力変換装置
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor device in which a primary current flows in a thickness direction of a semiconductor substrate. The semiconductor substrate includes a semiconductor layer of a first conductivity type and a well region of a second conductivity type that is formed in an upper layer section of the semiconductor layer. The semiconductor device includes: a front surface electrode formed on a second primary surface on a side opposite a first primary surface; a rear surface electrode formed on the first primary surface; and an upper surface film covering at least a portion of an edge of the front surface electrode and an outer region of the semiconductor substrate. The well region includes a portion that extends towards the outer region further outwards than an edge face of the front surface electrode as well as a portion that extends towards an inner region further inwards than the edge face of the front surface electrode. The front surface electrode covers at least a portion of the inner region and is electrically connected to the well region. The upper surface film has at least one outer peripheral opening formed along an outer periphery of the front surface electrode, so as to be separated from the front surface electrode in the outer region.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel un courant primaire circule dans une direction d'épaisseur d'un substrat semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur comprend une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité et une région puits d'un second type de conductivité qui est formée dans une section de couche supérieure de la couche semi-conductrice. Le dispositif à semi-conducteur comprend : une électrode de surface avant formée sur une seconde surface principale sur un côté opposé à une première surface principale ; une électrode de surface arrière formée sur la première surface principale ; et un film de surface supérieur recouvrant au moins une partie d'un bord de l'électrode de surface avant et une région extérieure du substrat semi-conducteur. La région puits comprend une partie qui s'étend vers la région externe davantage vers l'extérieur qu'une face de bord de l'électrode de surface avant, ainsi qu'une partie qui s'étend vers une région interne davantage vers l'intérieur que la face de bord de l'électrode de surface avant. L'électrode de surface avant recouvre au moins une partie de la région interne et est électriquement connectée à la région puits. Le film de surface supérieur présente au moins une ouverture périphérique externe formée le long d'une périphérie externe de l'électrode de surface avant, de façon à être séparé de l'électrode de surface avant dans la région externe.
(JA)
半導体基板の厚み方向に主電流が流れる半導体装置に関し、半導体基板は、第1導電型の半導体層と、半導体層の上層部に設けられた第2の導電型のウェル領域とを有し、半導体装置は、第1の主面とは反対側の第2の主面上に設けられた表面電極と、第1の主面上に設けられた裏面電極と、表面電極の端縁部および半導体基板の外側領域の少なくとも一部を覆う上面膜と、を備え、ウェル領域は、表面電極の端面よりも外側の外側領域の方に延在する部分と、表面電極の前記端面よりも内側の内側領域の方に延在する部分とを有し、表面電極は、内側領域の少なくとも一部を覆うと共にウェル領域に電気的に接続され、上面膜は、外側領域の表面電極から離れ、表面電極の外周に沿って設けられた少なくとも1つの外周開口部を有する。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international