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1. WO2020157809 - DISPOSITIF D'APPLICATION DE FAISCEAU D’ÉLECTRONS

Numéro de publication WO/2020/157809
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/002803
Date du dépôt international 28.01.2019
CIB
H01J 1/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02Electrodes principales
34Cathodes photo-émissives
H01J 37/073 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
04Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
06Sources d'électrons; Canons à électrons
073Canons à électrons utilisant des sources d'électrons à émission par effet de champ, à photo-émission ou à émission secondaire
CPC
H01J 1/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
1Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Main electrodes
34Photo-emissive cathodes
H01J 37/073
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
06Electron sources; Electron guns
073Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
Déposants
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 大嶋 卓 OHSHIMA Takashi
  • 井手 達朗 IDE Tatsuro
  • 森下 英郎 MORISHITA Hideo
  • 小瀬 洋一 OSE Yoichi
  • 野間口 恒典 NOMAGUCHI Tsunenori
  • 揚村 寿英 AGEMURA Toshihide
Mandataires
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRON BEAM APPLICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'APPLICATION DE FAISCEAU D’ÉLECTRONS
(JA) 電子線応用装置
Abrégé
(EN)
The present invention achieves a high resolution even in the case of using a light-excited electron source as an electron source in a scanning electron beam application device that two-dimensionally scans an electron beam on a sample. Accordingly, this electron beam application device has: a photocathode (1) having a substrate (11) having a refractive index exceeding 1.7 and a photoelectric film (10); a converging lens (2) for converging excitation light on the photocathode; an extraction electrode (3) disposed facing the photocathode and accelerating the electron beam generated from the photoelectric film of the photocathode in such a way that the excitation light is converged by the converging lens, transmits the substrate of the photocathode, and is made to be incident; and an electron optical system including a deflector (25) for two-dimensionally scanning the electron beam accelerated by the extraction electrode on a sample. In the electron beam application device, the spherical aberration of the converging lens is set such that the root-mean-square of the spherical aberration is less or equal to 1/14 of the wavelength of the excitation light on the photoelectric film.
(FR)
La présente invention permet d'obtenir une résolution élevée même dans le cas d'utilisation d'une source d'électrons excitée par la lumière en tant que source d'électrons dans un dispositif d'application de faisceau d'électrons à balayage qui balaye en deux dimensions un faisceau d'électrons sur un échantillon. En conséquence, ce dispositif d'application de faisceau d'électrons comprend : une photocathode (1) ayant un substrat (11) ayant un indice de réfraction supérieur à 1,7 et un film photoélectrique (10) ; une lentille convergente (2) pour faire converger la lumière d'excitation sur la photocathode ; une électrode d'extraction (3) disposée en regard de la photocathode et accélérant le faisceau d'électrons généré à partir du film photoélectrique de la photocathode de telle sorte que la lumière d'excitation converge par la lentille convergente, transmet le substrat de la photocathode, et est amenée à être incidente ; et un système optique d'électrons comprenant un déflecteur (25) pour balayer en deux dimensions le faisceau d'électrons accéléré par l'électrode d'extraction sur un échantillon. Dans le dispositif d'application de faisceau d'électrons, l'aberration sphérique de la lentille convergente est réglée de telle sorte que le carré moyen de racine de l'aberration sphérique est inférieur ou égal à 1/14 de la longueur d'onde de la lumière d'excitation sur le film photoélectrique.
(JA)
試料上で電子ビームを2次元にスキャンさせる走査型電子線応用装置において、電子源として光励起電子源を用いる場合においても高分解能化を達成する。このため、屈折率が1.7 を超える基板(11)と光電膜(10)とを有するフォトカソード(1)と、励起光をフォトカソードに向けて集光する集光レンズ(2)と、フォトカソードに対向して配置され、励起光が集光レンズにより集光され、フォトカソードの基板を透過して入射されることにより、フォトカソードの光電膜から発生する電子ビームを加速させる引き出し電極(3)と、引き出し電極により加速された電子ビームを試料上で2次元に走査する偏向器(25)を含む電子光学系と、を有する電子線応用装置において、集光レンズの球面収差は、光電膜上で球面収差の二乗平均平方根が励起光の波長の1/14以下とする。
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