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1. WO2020157529 - DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET SON PROCÉDÉ DE GESTION

Numéro de publication WO/2020/157529
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2019/000010
Date du dépôt international 29.01.2019
CIB
G11C 7/20 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
20Circuits d'initialisation de cellules de mémoire, p.ex. à la mise sous ou hors tension, effacement de mémoire, mémoire d'image latente
G11C 16/34 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
CPC
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
G11C 16/20
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
20Initialising; Data preset; Chip identification
G11C 16/349
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
349Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
G11C 7/04
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
04with means for avoiding disturbances due to temperature effects
G11C 7/20
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
20Memory initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • TROIA, Alberto
  • REINA, Vincenzo
Mandataires
  • KERN, Jacob T.
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANAGING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET SON PROCÉDÉ DE GESTION
Abrégé
(EN)
The present disclosure relates to a method for managing a memory device including a non-volatile memory, the method comprising providing a first time-stamp to the memory device, wherein the first time-stamp is a power-down time-stamp of the memory device, storing the first time-stamp, associating the first time-stamp with at least one region of the non-volatile memory, providing a second time-stamp to the memory device, wherein the second time-stamp is a subsequent power-up time-stamp of the memory device, associating the second time-stamp with said at least one region of the non-volatile memory, determining a difference time between the first time-stamp and the second time-stamp, and, based on said difference time, performing a refresh operation of said at least one region of the non-volatile memory. A related memory device is also disclosed, as well as a specific method for measuring the off-time of a memory device.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de gestion d'un dispositif de mémoire comprenant une mémoire non volatile, le procédé comprenant la fourniture d'un premier horodatage au dispositif de mémoire, le premier horodatage étant un horodatage de mise hors tension du dispositif de mémoire, le stockage du premier horodatage, l'association du premier horodatage à au moins une région de la mémoire non volatile, la fourniture d'un second horodatage au dispositif de mémoire, le second horodatage étant un horodatage de mise sous tension ultérieur du dispositif de mémoire, l'association du second horodatage à ladite au moins une région de la mémoire non volatile, la détermination d'un temps de différence entre le premier horodatage et le second horodatage, et, sur la base dudit temps de différence, la réalisation d'une opération de rafraîchissement de ladite au moins une région de la mémoire non volatile. L'invention concerne également un dispositif de mémoire associé, ainsi qu'un procédé spécifique de mesure de temps d'arrêt d'un dispositif de mémoire.
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