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1. WO2020156922 - PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/156922
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2020/051619
Date du dépôt international 23.01.2020
CIB
H01L 27/15 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/06 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
CPC
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • BEHRINGER, Martin Rudolf
  • VARGHESE, Tansen
  • GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2019 102 489.731.01.2019DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(DE)
In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine halbleitende Rekombinationsschicht (1) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung durch Ladungsträgerrekombination, eine Mehrzahl von ersten Kontaktelementen (31) auf einer ersten Seite (11) der Rekombinationsschicht, zumindest ein zweites Kontaktelement (32) auf der ersten Seite der Rekombinationsschicht, eine Mehrzahl halbleitender erster Anschlussbereiche (21) und zumindest einen halbleitenden zweiten Anschlussbereich (22). Die ersten Anschlussbereiche sind jeweils zwischen einem ersten Kontaktelement und der ersten Seite der Rekombinationsschicht angeordnet. Der zweite Anschlussbereich ist zwischen dem zweiten Kontaktelement und der ersten Seite der Rekombinationsschicht angeordnet. Die ersten Anschlussbereiche weisen eine Dotierung erster Art auf und der zweite Anschlussbereich weist eine zur Dotierung erster Art komplementäre Dotierung zweiter Art auf. Die ersten Kontaktelemente sind einzeln und unabhängig voneinander elektrisch kontaktierbar.
(EN)
In at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chip (100) comprises a semiconducting recombination layer (1) for generating electromagnetic radiation by charge carrier recombination, a plurality of first contact elements (31) on a first side (11) of the recombination layer, at least one second contact element (32) on the first side of the recombination layer, a plurality of semiconducting first terminal regions (21) and at least one semiconducting second terminal region (22). The first terminal regions are arranged respectively between a first contact element and the first side of the recombination layer. The second terminal region is arranged between the second contact element and the first side of the recombination layer. The first terminal regions have a doping of a first type and the second terminal region has a doping of a second type, complementary to the doping of the first type. The first contact elements are electrically contactable individually and independently of one another.
(FR)
L'invention concerne, dans au moins un mode de réalisation, une puce semi-conductrice optoélectronique (100) qui comprend une couche de recombinaison (1) semi-conductrice permettant de générer un rayonnement électromagnétique par recombinaison des porteurs de charge, une pluralité de premiers éléments de contact (31) sur une première face (11) de la couche de recombinaison, au moins un deuxième élément de contact (32) sur la première face de la couche de recombinaison, une pluralité de premières zones de raccordement (21) semi-conductrices et au moins une deuxième zone de raccordement (22) semi-conductrice. Les premières zones de raccordement sont chacune situées entre un premier élément de contact et la première face de la couche de recombinaison. La deuxième zone de raccordement est située entre le deuxième élément de contact et la première face de la couche de recombinaison. Les premières zones de raccordement comprennent un dopage du premier type et la deuxième zone de raccordement comprend un dopage du deuxième type complémentaire au premier type. Les premiers éléments de contact peuvent être contactés électriquement individuellement et indépendamment les uns des autres.
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