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1. WO2020155529 - DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT

Numéro de publication WO/2020/155529
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/092364
Date du dépôt international 21.06.2019
CIB
H01L 27/15 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
CPC
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
H01L 33/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
H01L 33/54
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
54having a particular shape
H01L 33/60
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
60Reflective elements
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Déposants
  • 泉州三安半导体科技有限公司 QUANZHOU SANAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 黄永特 WONG, Weng-Tack
  • 余长治 YU, Changchin
  • 徐宸科 HSU, Chen-Ke
  • 黄兆武 HUANG, Zhaowu
  • 时军朋 SHI, Junpeng
Données relatives à la priorité
201910108696.203.02.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(ZH) 发光装置
Abrégé
(EN)
Disclosed is a light-emitting device, comprising: a support having a mounting surface for mounting an LED chip; the LED chip comprising a substrate and an epitaxial stack, mounted on the mounting surface of the support, and having opposite upper and lower surfaces, wherein the upper surface is a light exit surface; and a packaging material layer covering the surface of the LED chip and sealing the LED chip on the support. Furthermore, the light-emitting device further comprises a first metal reflective layer and a second metal reflective layer, the thickness of the LED chip is defined as T, and the distances from the first and second metal reflective layers to the light exit surface of the LED chip are D1 and D2, respectively, wherein D1<D2<T/2.
(FR)
L'invention concerne un dispositif électroluminescent, comprenant : un support comportant une surface de montage destinée à monter une puce LED ; la puce LED comprenant un substrat et un empilement épitaxial, monté sur la surface de montage du support, et comportant des surfaces supérieure et inférieure opposées, la surface supérieure étant une surface de sortie de lumière ; et une couche de matériau d'emballage recouvrant la surface de la puce LED et scellant la puce LED sur le support. En outre, le dispositif électroluminescent comprend également une première couche réfléchissante métallique et une deuxième couche réfléchissante métallique, l'épaisseur de la puce LED étant définie comme T, et les distances entre les première et deuxième couches réfléchissantes métalliques et la surface de sortie de lumière de la puce LED étant respectivement D1 et D2, où D1<D2<T/2.
(ZH)
本发明公开了一种发光装置,包括:支架,具有用于安装LED芯片的安装表面;LED芯片,包含基板和外延叠层,安装于所述支架的安装表面上,具有相对的上表面和下表面,其中上表面为出光面;封装材料层,覆盖于所述LED芯片的表面,将所述LED芯片密封于所述支架上。进一步的,该发光装置还包括第一金属反射层和第二金属反射层,定义LED芯片的厚度为T,该第一、第二金属反射层到该LED芯片的出光面的距离分别为D1和D2,则D1
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