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1. WO2020155399 - SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/155399
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/082641
Date du dépôt international 15.04.2019
CIB
H01L 21/77 2017.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
CPC
H01L 21/77
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
H01L 27/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Déposants
  • 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 向明 XIANG, Ming
  • 明星 MING, Xing
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201910100218.731.01.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 阵列基板及其制作方法
Abrégé
(EN)
The present application proposes an array substrate and a manufacturing method therefor. The array substrate comprises a substrate, an active layer located on the substrate, a gate insulation layer located on the active layer, a gate electrode located on the gate insulation layer, and a protection region located between the active layer and the gate electrode, the protection region being located on two sides of the gate electrode and being provided on the same layer as the gate insulation layer.
(FR)
La présente invention concerne un substrat matriciel et son procédé de fabrication. Le substrat matriciel comprend : un substrat ; une couche active située sur le substrat ; une couche d'isolation de grille située sur la couche active ; une électrode grille située sur la couche d'isolation de grille ; et une zone de protection située entre la couche active et l'électrode grille, la zone de protection étant en outre située sur deux côtés de l'électrode grille et étant disposée sur la même couche que la couche d'isolation de grille.
(ZH)
本申请提出了一种阵列基板及其制作方法,该阵列基板包括基板;位于基板上的有源层;位于有源层上的栅绝缘层;位于栅绝缘层上的栅极;位于有源层及栅极之间的保护区;保护区位于栅极两侧,且与栅绝缘层同层设置。
Également publié en tant que
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