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1. WO2020155111 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE ANTIREFLET SUR UNE SURFACE DE QUARTZ À L'AIDE D'UNE TECHNIQUE DE GRAVURE AUTO-MASQUANT INDUITE PAR UN MÉTAL

Numéro de publication WO/2020/155111
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/074465
Date du dépôt international 01.02.2019
CIB
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/308 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308en utilisant des masques
CPC
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
308using masks
Déposants
  • 中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 史丽娜 SHI, Lina
  • 李龙杰 LI, Longjie
  • 张凯平 ZHANG, Kaiping
  • 牛洁斌 NIU, Jiebin
  • 谢常青 XIE, Changqing
  • 刘明 LIU, Ming
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FABRICATING ANTI-REFLECTIVE LAYER ON QUARTZ SURFACE BY USING METAL-INDUCED SELF-MASKING ETCHING TECHNIQUE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE ANTIREFLET SUR UNE SURFACE DE QUARTZ À L'AIDE D'UNE TECHNIQUE DE GRAVURE AUTO-MASQUANT INDUITE PAR UN MÉTAL
(ZH) 使用金属诱导自掩模刻蚀工艺制作石英表面抗反层的方法
Abrégé
(EN)
The present disclosure provides a method for fabricating an anti-reflective layer on a quartz surface using a metal-induced self-masking etching technique, comprising: performing reactive ion etching on a metal material and a quartz substrate using a mixed gas containing a fluorine-based gas, metal atoms and/or ions of the metal material being sputtered onto the surface of the quartz substrate to form a non-volatile metal fluoride on the surface of the quartz substrate; forming a micromask by an etching product generated by reactive ion etching gathering around the non-volatile metal fluoride; and simultaneously etching the micromask and the quartz substrate to form a sub-wavelength structure anti-reflection layer.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche antireflet sur une surface de quartz à l'aide d'une technique de gravure auto-masquant induite par un métal, consistant : à réaliser une gravure ionique réactive sur un matériau métallique et un substrat de quartz à l'aide d'un gaz mixte contenant un gaz à base de fluor, des atomes de métal et/ou des ions du matériau métallique étant pulvérisés sur la surface du substrat de quartz de manière à former un fluorure de métal non volatil sur la surface du substrat de quartz ; à former un micromasque au moyen d'un produit de gravure produit par le biais de la gravure ionique réactive se rassemblant autour du fluorure de métal non volatil ; et à graver simultanément le micromasque et le substrat de quartz de manière à former une couche antireflet de structure de sous-longueur d'onde.
(ZH)
本公开提供了一种使用金属诱导自掩模刻蚀工艺制作石英表面抗反层的方法,包括:利用包含氟基气体的混合气体反应离子刻蚀金属材料和石英基片,所述金属材料的金属原子和/或离子溅射到所述石英基片表面,在所述石英基片表面形成非挥发金属氟化物;反应离子刻蚀产生的刻蚀产物聚集在所述非挥发金属氟化物的周围,形成微掩模;同时刻蚀所述微掩模和所述石英基片,形成亚波长结构抗反层。
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