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1. WO2020118300 - CONNEXIONS DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AVEC DES NANOPARTICULES FRITTÉES

Numéro de publication WO/2020/118300
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/065242
Date du dépôt international 09.12.2019
CIB
H01L 21/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
H01L 23/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
CPC
H01L 21/4853
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
4853Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
H01L 21/4867
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
4867Applying pastes or inks, e.g. screen printing
H01L 2224/13147
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
13of an individual bump connector
13001Core members of the bump connector
13099Material
131with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
13138the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
13147Copper [Cu] as principal constituent
H01L 2224/16227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
16227the bump connector connecting to a bond pad of the item
H01L 2224/81203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
81using a bump connector
812Applying energy for connecting
81201Compression bonding
81203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
H01L 23/49816
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
49816Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
Déposants
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US]/[US]
  • TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP]/[JP] (JP)
Inventeurs
  • ZHANG, Rongwei
  • GUPTA, Vikas
Mandataires
  • DAVIS, Michael, A.
  • JOS, Dawn
Représentant commun
  • TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Données relatives à la priorité
16/213,55707.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE CONNECTIONS WITH SINTERED NANOPARTICLES
(FR) CONNEXIONS DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AVEC DES NANOPARTICULES FRITTÉES
Abrégé
(EN)
In a described example, a packaged device (100) includes a substrate (101) having a device mounting surface with conductive lands (103) having a first thickness spaced from one another on the device mounting surface. A first polymer layer (105) is disposed on the device mounting surface between the conductive lands (103) having a second thickness equal to the first thickness. The conductive lands (103) have an outer surface not covered by the first polymer layer (105). A second polymer layer (107) is disposed on the first polymer layer (105), the outer surface of the conductive lands (103) not covered by the second polymer layer (107). Conductive nanoparticle material (109) is disposed on the outer surface of the conductive lands (103). A third polymer layer (111) is disposed on the second polymer layer (107) between the conductive nanoparticle material (109) on the conductive lands (103). At least one semiconductor device die (121) is mounted to the third polymer layer (111) having electrical terminals (123) bonded to the conductive nanoparticle material (109).
(FR)
La présenté invention porte, dans un exemple, sur un dispositif emballé (100) qui comprend un substrat (101) ayant une surface de montage de dispositif ayant des pastilles conductrices (103) ayant une première épaisseur espacées les unes des autres sur la surface de montage de dispositif. Une première couche de polymère (105) est disposée sur la surface de montage de dispositif entre les pastilles conductrices (103) ayant une seconde épaisseur égale à la première épaisseur. Les pastilles conductrices (103) comportent une surface extérieure non couverte par la première couche de polymère (105). Une deuxième couche de polymère (107) est disposée sur la première couche de polymère (105), la surface externe des pastilles conductrices (103) n'étant pas couverte par la deuxième couche de polymère (107). Un matériau de nanoparticules conductrices (109) est disposé sur la surface externe des pastilles conductrices (103). Une troisième couche de polymère (111) est disposée sur la deuxième couche de polymère (107) entre le matériau de nanoparticules conductrices (109) sur les pastilles conductrices (103). Au moins une puce de dispositif à semi-conducteur (121) est montée sur la troisième couche de polymère (111) ayant des bornes électriques (123) liées au matériau de nanoparticules conductrices (109).
Également publié en tant que
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