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1. WO2020117725 - PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILMS MÉTALLIQUES HAUTEMENT SÉLECTIFS

Numéro de publication WO/2020/117725
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/064113
Date du dépôt international 03.12.2019
CIB
C23C 16/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
18à partir de composés organométalliques
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
CPC
C23C 16/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
06characterised by the deposition of metallic material
18from metallo-organic compounds
C23C 16/45527
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45523Pulsed gas flow or change of composition over time
45525Atomic layer deposition [ALD]
45527characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
Déposants
  • MERCK PATENT GMBH [DE]/[DE]
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US]/[US]
Inventeurs
  • KANJOLIA, Ravindra
  • MOINPOUR, Mansour
  • WOODRUFF, Jacob
  • WOLF, Steven
  • BREEDEN, Michael
  • UEDA, Scott T.
  • KUMMEL, Andrew
  • ANURAG, Ashay
Mandataires
  • BRUSTEIN, Mitchell
  • HOULIHAN, Francis M.
  • SLAVEN, IV, William T.
Données relatives à la priorité
62/774,69503.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR DEPOSITION OF HIGHLY SELECTIVE METAL FILMS
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILMS MÉTALLIQUES HAUTEMENT SÉLECTIFS
Abrégé
(EN)
The present inventive concept relates to selective metal layer deposition. Embodiments include a method for atomic layer deposition (ALD) of a metal, the method comprising at least one cycle of: a) exposing a substrate, the substrate comprising a surface comprising a metal portion and an insulator portion, to a metal-organic precursor; b) depositing a metal-organic precursor on an upper surface of the metal portion of the substrate to selectively provide a metal precursor layer on the upper surface of the metal portion of the substrate; c) exposing the metal precursor layer to a co-reactant; and d) depositing the co-reactant on the metal precursor layer, wherein the co-reactant takes part in a ligand exchange with the metal precursor layer.
(FR)
Le présent concept de l'invention concerne le dépôt sélectif de couches métalliques. Des modes de réalisation comprennent un procédé de dépôt de couche atomique (ALD) d'un métal, le procédé comprenant au moins un cycle consistant à : a) exposer un substrat, le substrat comprenant une surface comprenant une partie métallique et une partie isolante, à un précurseur organométallique ; b) déposer un précurseur organométallique sur une surface supérieure de la partie métallique du substrat pour fournir sélectivement une couche de précurseur métallique sur la surface supérieure de la partie métallique du substrat ; c) exposer la couche de précurseur métallique à un co-réactif ; et d) déposer le co-réactif sur la couche de précurseur métallique, le co-réactif participant à un échange de ligand avec la couche de précurseur métallique.
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