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1. WO2020117566 - SIGNALISATION À MULTIPLES NIVEAUX POUR UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE

Numéro de publication WO/2020/117566
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/063382
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
G06F 11/10 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
11Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
07Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
08Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p.ex. en utilisant des codes de contrôle
10en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p.ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
G11C 29/52 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
52Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires
CPC
G11C 29/10
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
10Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns 
H04L 1/0003
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
1Arrangements for detecting or preventing errors in the information received
0001Systems modifying transmission characteristics according to link quality, e.g. power backoff
0002by adapting the transmission rate
0003by switching between different modulation schemes
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • SPIRKL, Wolfgang, Anton
  • RICHTER, Michael, Dieter
  • HEIN, Thomas
  • MAYER, Peter
  • BROX, Martin
Mandataires
  • HARRIS, Philip
Données relatives à la priorité
16/681,58712.11.2019US
62/776,08906.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MULTI-LEVEL SIGNALING FOR A MEMORY DEVICE
(FR) SIGNALISATION À MULTIPLES NIVEAUX POUR UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Abrégé
(EN)
Methods, systems, and devices for testing of multi-level signaling associated with a memory device are described. A tester may be used to test one or more operations of a memory device. The memory device may be configured to communicate data using a modulation scheme that includes three or more symbols. The tester may be configured to communicate data using a modulation scheme that includes three or fewer symbols. Techniques for testing the memory device using such a tester are described.
(FR)
L'invention concerne des procédés, des systèmes et des dispositifs de test de signalisation à multiples niveaux associée à un dispositif de mémoire. Un testeur peut être utilisé pour tester une ou plusieurs opérations d'un dispositif de mémoire. Le dispositif de mémoire peut être configuré pour communiquer des données en utilisant un schéma de modulation qui contient au moins trois symboles. Le testeur peut être configuré pour communiquer des données en utilisant un schéma de modulation qui contient trois symboles ou moins. L'invention concerne également des techniques de test du dispositif de mémoire à l'aide d'un tel testeur.
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