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1. WO2020117496 - PROCÉDÉS DE DURCISSEMENT POUR RÉTICULER DES LIAISONS SI-HYDROXYLE

Numéro de publication WO/2020/117496
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/062833
Date du dépôt international 22.11.2019
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/324 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
CPC
B05D 1/60
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
1Processes for applying liquids or other fluent materials
60Deposition of organic layers from vapour phase
B05D 3/067
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING LIQUIDS OR OTHER FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
3Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
06by exposure to radiation
061using U.V.
065After-treatment
067Curing or cross-linking the coating
C23C 16/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
56After-treatment
H01L 21/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • SEAMONS, Martin Jay
  • AHN, Byung Kook
  • LIANG, Jingmei
Mandataires
  • DOUGHERTY, Chad M.
  • VER STEEG, Steven H.
Données relatives à la priorité
62/775,00804.12.2018US
62/796,89925.01.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CURE METHODS FOR CROSS-LINKING SI-HYDROXYL BONDS
(FR) PROCÉDÉS DE DURCISSEMENT POUR RÉTICULER DES LIAISONS SI-HYDROXYLE
Abrégé
(EN)
Embodiments described herein provide a method of forming a silicon-and- oxygen-containing layer having covalent Si-O-Si bonds by cross-linking terminal silanol groups. The method includes positioning a substrate in a chamber. The substrate has one or more trenches including a width of 10 nanometers (nm) or less, and an aspect ratio of 2:1 or greater. The aspect ratio is defined by a ratio of a depth to the width of the one or more trenches. A silicon-and-oxygen-containing layer is disposed over the one or more trenches. The silicon-and-oxygen-containing layer has terminal silanol groups. The substrate is heated, and the silicon-and- oxygen-containing layer is exposed to an ammonia or amine group-containing precursor distributed across a process volume.
(FR)
Des modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé de formation d'une couche contenant du silicium et de l'oxygène ayant des liaisons Si-O-Si covalentes par réticulation de groupes silanol terminaux. Ledit procédé comprend l'étape consistant à positionner un substrat dans une chambre. Le substrat a une ou plusieurs tranchées comprenant une largeur inférieure ou égale à 10 nanomètres (nm), et un rapport d'aspect de 2 : 1 ou plus. Le rapport d'aspect est défini par un rapport d'une profondeur à la largeur de l'une ou plusieurs tranchées. Une couche contenant du silicium et de l'oxygène est disposée sur l'une ou plusieurs tranchées. La couche contenant du silicium et de l'oxygène possède des groupes silanol terminaux. Le substrat est chauffé, et la couche contenant du silicium et de l'oxygène est exposée à un précurseur contenant un groupe ammoniac ou amine distribué à travers un volume de traitement.
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