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1. WO2020117488 - BISMUTHÈNE 2D CRISTALLIN EXEMPT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2020/117488
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/062716
Date du dépôt international 22.11.2019
CIB
B22F 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
1Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes
B22F 9/24 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
9Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
16par un procédé chimique
18avec réduction de mélanges métalliques
24à partir de mélanges métalliques liquides, p.ex. de solutions
C22B 5/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
BPRODUCTION OU AFFINAGE DES MÉTAUX; TRAITEMENT PRÉLIMINAIRE DES MATIÈRES PREMIÈRES
5Procédés généraux de réduction appliqués aux métaux
C22B 30/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
BPRODUCTION OU AFFINAGE DES MÉTAUX; TRAITEMENT PRÉLIMINAIRE DES MATIÈRES PREMIÈRES
30Obtention d'antimoine, d'arsenic ou de bismuth
06Obtention du bismuth
CPC
C01G 29/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
29Compounds of bismuth
C01P 2002/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
20Two-dimensional structures
C01P 2002/74
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
74by peak-intensities or a ratio thereof only
C01P 2004/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
20extending in two dimensions, e.g. plate-like
C30B 29/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
C30B 29/60
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
Déposants
  • PURDUE RESEARCH FOUNDATION [US]/[US]
Inventeurs
  • WU, Wenzhuo
  • WANG, Yixiu
Mandataires
  • RAO, Zhigang
Données relatives à la priorité
16/685,11415.11.2019US
62/776,04606.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE-FREE CRYSTALLINE 2D BISMUTHENE
(FR) BISMUTHÈNE 2D CRISTALLIN EXEMPT DE SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
The present disclosure generally relates to compositions comprising substrate-free crystalline 2D bismuthene, and the method of making and using the substrate-free crystalline 2D bismuthene. The substrate-free 2D bismuthene disclosed in the present disclosure provides a standalone, stable and convenient source of pure 2D bismuthene. One specific substrate-free crystalline 2D bismuthene nanoflakes that are characterized by an X-ray diffraction pattern (CuKα radiation, λ=1.54056 A) comprising a peak at 26.16 (2θ ± 0.1°), and optionally one or more peaks selected from the group consisting of 36.99, 38.64, 47.67, and 55.14 (2θ ± 0.1°).
(FR)
La présente invention concerne, d'une manière générale, des compositions comprenant du bismuthène cristallin 2D exempt de substrat, et le procédé de fabrication et d'utilisation du bismuthène 2D cristallin exempt de substrat. La présente invention concerne en outre une source autonome, stable et pratique de bismuthène 2D pur. Un type de nanoflocon de bismuthène 2D cristallin exempt de substrat spécifiques est caractérisé par un spectre de diffraction des rayons X (rayonnement CuKα, lambda = 1,54056 A) comprenant un pic à 26,16 (2θ ± 0,1°), et éventuellement un ou plusieurs pics choisis dans le groupe constitué de 36,99, 38,64, 47,67 et 55,14 (2θ ± 0,1°).
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