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1. WO2020117440 - COMPOSITION ET MÉTHODE POUR CMP DE NITRURE DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2020/117440
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/061261
Date du dépôt international 13.11.2019
CIB
C09G 1/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
GCOMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1Compositions de produits à polir
02contenant des abrasifs ou agents de polissage
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
B24B 37/005 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
005Moyens de commande pour machines ou dispositifs de rodage
B24B 37/04 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
04conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 57/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
57Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage
02pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1409
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1409Abrasive particles per se
H01L 21/31055
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
31055the removal being a chemical etching step, e.g. dry etching
Déposants
  • CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • HUNG LOW, Fernando
  • KRAFT, Steven
  • IVANOV, Roman A.
Mandataires
  • OMHOLT, Thomas
Données relatives à la priorité
16/208,77904.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COMPOSITION AND METHOD FOR SILICON NITRIDE CMP
(FR) COMPOSITION ET MÉTHODE POUR CMP DE NITRURE DE SILICIUM
Abrégé
(EN)
The invention provides a chemical mechanical polishing composition for polishing a silicon nitride containing substrate. The composition includes an aqueous carrier; cationic silica particles dispersed in the aqueous carrier, the cationic silica abrasive particles having a zeta potential of at least 10 mV in the polishing composition; a polishing additive selected from the group consisting of a polyether amine, a polysilamine, a polyvinylimidazole, and a combination thereof, wherein the polyether amine and the polysilamine have corresponding weight average molecular weights of about 1,000 g/mol or less. The composition has a pH of greater than about 6. A method for polishing a silicon nitride containing substrate is also provided.
(FR)
L'invention concerne une composition de polissage chimico-mécanique pour polir un substrat contenant du nitrure de silicium. La composition comprend un support aqueux ; des particules de silice cationique dispersées dans le support aqueux, les particules abrasives de silice cationique ayant un potentiel zêta d'au moins 10 mV dans la composition de polissage ; un additif de polissage choisi dans le groupe constitué par une amine de polyéther, une polysilamine, un polyvinylimidazole et une combinaison de ceux-ci, l'amine de polyéther et la polysilamine ayant des masses moléculaires moyennes en poids correspondantes d'environ 1 000 g/mol ou moins. La composition a un pH supérieur à environ 6. L'invention concerne également un procédé de polissage d'un substrat contenant du nitrure de silicium.
Également publié en tant que
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