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1. WO2020117337 - ENSEMBLES INTÉGRÉS QUI COMPRENNENT DES INTERCONNEXIONS CONTENANT DU MÉTAL AVEC DES COLONNES À RÉGION ACTIVE, ET PROCÉDÉS DE FORMATION D'ENSEMBLES INTÉGRÉS

Numéro de publication WO/2020/117337
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/048621
Date du dépôt international 28.08.2019
CIB
H01L 23/528 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 23/522 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/532 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532caractérisées par les matériaux
H01L 23/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
CPC
H01L 27/10805
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10805with one-transistor one-capacitor memory cells
H01L 27/10855
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10844Multistep manufacturing methods
10847for structures comprising one transistor one-capacitor memory cells
1085with at least one step of making the capacitor or connections thereto
10852the capacitor extending over the access transistor
10855with at least one step of making a connection between transistor and capacitor, e.g. plug
H01L 27/10885
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10844Multistep manufacturing methods
10847for structures comprising one transistor one-capacitor memory cells
10882with at least one step of making a data line
10885with at least one step of making a bit line
H01L 27/10888
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10844Multistep manufacturing methods
10847for structures comprising one transistor one-capacitor memory cells
10882with at least one step of making a data line
10888with at least one step of making a bit line contact
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • SIMSEK-EGE, Arzum F.
Mandataires
  • MATKIN, Mark S.
  • HENDRICKSEN, Mark, W.
  • LATWESEN, David, G.
  • SHAURETTE, James, D.
  • GRZELAK, Keith, D.
Données relatives à la priorité
16/208,06503.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED ASSEMBLIES WHICH INCLUDE METAL-CONTAINING INTERCONNECTS TO ACTIVE-REGION PILLARS, AND METHODS OF FORMING INTEGRATED ASSEMBLIES
(FR) ENSEMBLES INTÉGRÉS QUI COMPRENNENT DES INTERCONNEXIONS CONTENANT DU MÉTAL AVEC DES COLONNES À RÉGION ACTIVE, ET PROCÉDÉS DE FORMATION D'ENSEMBLES INTÉGRÉS
Abrégé
(EN)
Some embodiments include an integrated assembly having active-region-pillars. Each of the active-region-pillars has contact regions. The contact regions include a pair of storage-element-contact-regions, and include a digit- line-contact-region between the storage-element-contact-regions. The active-region-pillars include silicon. Wordlines are along the active-region-pillars and extend along a first direction. Cobalt silicide is directly against the silicon of one or more of the contact regions. Metal-containing material is directly against the cobalt silicide. Digit-lines are electrically coupled with the digit-line-contact-regions and extend along a second direction which crosses the first direction. Storage-elements are electrically coupled with the storage-element-contact- regions. Some embodiments include methods of forming integrated assemblies.
(FR)
Certains modes de réalisation comprennent un ensemble intégré comportant des colonnes à région active. Chacune des colonnes à région active comporte des régions de contact. Les régions de contact comprennent une paire de régions de contact d'éléments de stockage, et comprennent une région de contact de ligne de bits entre les régions de contact d'éléments de stockage. Les colonnes à région active comprennent du silicium. Des lignes de mots se trouvent le long des colonnes à région active et s'étendent le long d'une première direction. Le siliciure de cobalt se trouve directement contre le silicium d'une ou plusieurs des régions de contact. Le matériau contenant du métal se trouve directement contre le siliciure de cobalt. Des lignes de bits sont couplées électriquement aux régions de contact de lignes de bits et s'étendent le long d'une seconde direction qui croise la première direction. Des éléments de stockage sont électriquement couplés aux régions de contact d'éléments de stockage. La présente invention se rapporte, dans certains modes de réalisation, à des procédés de formation d'ensembles intégrés.
Également publié en tant que
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