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1. WO2020117336 - COUPLAGE CAPACITIF DANS UNE INTERFACE À LIAISON DIRECTE DE DISPOSITIFS MICRO-ÉLECTRONIQUES

Numéro de publication WO/2020/117336
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/048530
Date du dépôt international 28.08.2019
CIB
H01L 25/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H01L 25/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants
  • INVENSAS CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • HABA, Belgacem
  • SITARAM, Arkalgud R.
Mandataires
  • LATTIN, Christopher W.
Données relatives à la priorité
16/212,24806.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CAPACITIVE COUPLING IN A DIRECT-BONDED INTERFACE FOR MICROELECTRONIC DEVICES
(FR) COUPLAGE CAPACITIF DANS UNE INTERFACE À LIAISON DIRECTE DE DISPOSITIFS MICRO-ÉLECTRONIQUES
Abrégé
(EN)
Capacitive couplings in a direct- bonded interface for microelectronic devices are provided. In an implementation, a microelectronic device includes a first die and a second die direct- bonded together at a bonding interface, a conductive interconnect between the first die and the second die formed at the bonding interface by a metal-to-metal direct bond, and a capacitive interconnect between the first die and the second die formed at the bonding interface. A direct bonding process creates a direct bond between dielectric surfaces of two dies, a direct bond between respective conductive interconnects of the two dies, and a capacitive coupling between the two dies at the bonding interface. In an implementation, a capacitive coupling of each signal line at the bonding interface comprises a dielectric material forming a capacitor at the bonding interface for each signal line. The capacitive couplings result from the same direct bonding process that creates the conductive interconnects direct- bonded together at the same bonding interface.
(FR)
L'invention concerne des couplages capacitifs dans une interface à liaison directe de dispositifs micro-électroniques. Dans un mode de réalisation, un dispositif microélectronique comprend une première puce et une seconde puce liées directement l'une à l'autre au niveau d'une interface de liaison, une interconnexion conductrice entre la première puce et la seconde puce formée au niveau de l'interface de liaison par une liaison directe métal-métal, et une interconnexion capacitive entre la première puce et la seconde puce formée au niveau de l'interface de liaison. Un processus de liaison directe crée une liaison directe entre des surfaces diélectriques de deux puces, une liaison directe entre des interconnexions conductrices respectives des deux puces, et un couplage capacitif entre les deux puces au niveau de l'interface de liaison. Dans un mode de réalisation, un couplage capacitif de chaque ligne de signal au niveau de l'interface de liaison comprend un matériau diélectrique formant un condensateur au niveau de l'interface de liaison pour chaque ligne de signal. Les couplages capacitifs résultent du même processus de liaison directe qui crée les interconnexions conductrices liées directement entre elles au niveau de la même interface de liaison.
Également publié en tant que
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