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1. WO2020116978 - DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT DES ÉLÉMENTS ÉLECTROLUMINESCENTS À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/116978
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/017154
Date du dépôt international 06.12.2019
CIB
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/12 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
12ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/58 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 21/033 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
033comportant des couches inorganiques
Déposants
  • 엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 변양우 BYUN, Yangwoo
  • 송후영 SONG, Hooyoung
  • 이경호 LEE, Kyungho
Mandataires
  • 박장원 PARK, Jang-Won
Données relatives à la priorité
62/776,46006.12.2018US
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENTS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT DES ÉLÉMENTS ÉLECTROLUMINESCENTS À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a display device and a method for manufacturing same, specifically, to a display device using semiconductor light-emitting elements of a few micrometers to tens of micrometers in size. The present invention provides a display device comprising a substrate having a wiring electrode, and a plurality of semiconductor light-emitting elements electrically connected to the wiring electrode, wherein the plurality of light-emitting elements consist of a buffer layer and a metal oxide layer formed on the buffer layer, and the metal oxide layer consists of an oxide of the buffer layer.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif d'affichage et son procédé de fabrication, et plus particulièrement, un dispositif d'affichage utilisant des éléments électroluminescents à semi-conducteur de quelques micromètres à des dizaines de micromètres en taille. La présente invention concerne un dispositif d'affichage comprenant un substrat ayant une électrode de câblage, et une pluralité d'éléments électroluminescents à semi-conducteur connectés électriquement à l'électrode de câblage, la pluralité d'éléments électroluminescents étant constitués d'une couche tampon et d'une couche d'oxyde métallique formée sur la couche tampon, et la couche d'oxyde métallique étant constituée d'un oxyde de la couche tampon.
(KO)
본 발명은 디스플레이 장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로 특히, 수㎛ 내지 수십㎛ 크기의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명은 배선전극을 포함하는 기판 및 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들을 포함하고, 상기 복수의 반도체 발광소자들은 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 형성되는 금속산화물층을 구비하고, 상기 금속산화물층은 상기 버퍼층의 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.
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