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1. WO2020116448 - BANDE DE DÉCOUPAGE EN DÉS POUR REFUSION

Numéro de publication WO/2020/116448
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/047232
Date du dépôt international 03.12.2019
CIB
H01L 21/301 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
Déposants
  • 古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 浅沼 匠 ASANUMA Takumi
Mandataires
  • アインゼル・フェリックス=ラインハルト EINSEL Felix-Reinhard
  • 前川 純一 MAEKAWA Junichi
  • 二宮 浩康 NINOMIYA Hiroyasu
  • 上島 類 UESHIMA Rui
  • 住吉 秀一 SUMIYOSHI Shuichi
Données relatives à la priorité
2018-22696304.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) REFLOW-COMPATIBLE DICING TAPE
(FR) BANDE DE DÉCOUPAGE EN DÉS POUR REFUSION
(JA) リフロー対応ダイシングテープ
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a reflow-compatible dicing tape having excellent contamination resistance by preventing the occurrence of outgassing from a radiation-curing adhesive layer. A reflow-compatible dicing tape according to the present invention is provided with a base material layer and a radiation-curing adhesive layer provided on said base material layer. After a silicon wafer is bonded to the radiation-curing adhesive layer, the layered body is irradiated with radiation and is then heat-treated for 10 minutes at 210°C. After said heat treatment, the bonded surface of the silicon wafer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy when the silicon wafer is peeled from the radiation-curing adhesive layer. The carbon content at this time is 30 mol% or less.
(FR)
L'invention concerne une bande de découpage en dé pour refusion, laquelle empêche la génération de gaz à partir d'une couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement et laquelle possède une excellente propriété de résistance à la contamination. Cette bande de découpage en dés pour refusion comporte: une couche de base et une couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement située sur la couche de base. Après avoir collé une plaquette de silicium sur la couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement et soumis la couche au rayonnement, un traitement thermique de 10 minutes à 210°C est effectué. Après ce traitement thermique, lors du retrait de la plaquette de silicium de la couche d'adhésif de type durcissable au rayonnement, la quantité de carbone mesurée sur la surface collée de la plaquette de silicium par spectroscopie photoélectronique à rayons X, est inférieure ou égale à 30% molaires.
(JA)
本発明の目的は、放射線硬化型粘着剤層からのアウトガスの発生を防止して優れた耐汚染性を有するリフロー対応ダイシング用テープを提供することにある。 基材層と該基材層上に設けられた放射線硬化型粘着剤層を備え、前記放射線硬化型粘着剤層にシリコンウエハを貼りあわせた後に、放射線照射してから210℃にて10分の加熱処理をし、該加熱処理後に前記放射線硬化型粘着剤層から前記シリコンウエハを剥離させた際における前記シリコンウエハの貼り合わせ面をX線光電子分光法にて測定した際の炭素量が、30mol%以下であるリフロー対応ダイシングテープ。
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