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1. WO2020116386 - COMPOSÉ BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE, COMPOSITION CONTENANT UN COMPOSÉ BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE PERMETTANT DE FORMER UN FILM CONTENANT DU SILICIUM

Numéro de publication WO/2020/116386
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/047012
Date du dépôt international 02.12.2019
CIB
C07F 7/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
07CHIMIE ORGANIQUE
FCOMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
7Composés contenant des éléments des groupes 4 ou 14 de la classification périodique
02Composés du silicium
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 21/318 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
318composées de nitrures
C23C 16/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
18à partir de composés organométalliques
Déposants
  • 住友精化株式会社 SUMITOMO SEIKA CHEMICALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 小林 晃徳 KOBAYASHI, Akinori
  • 稲荷森 有輝 INARIMORI, Yuuki
  • 山根 達徳 YAMANE, Tatsunori
Mandataires
  • 山尾 憲人 YAMAO, Norihito
  • 言上 惠一 GONJOU, Keiichi
Données relatives à la priorité
2018-22830505.12.2018JP
2019-17753927.09.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE COMPOUND, BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE COMPOUND-CONTAINING COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM
(FR) COMPOSÉ BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE, COMPOSITION CONTENANT UN COMPOSÉ BIS(ALKYLAMINO)DISILAZANE PERMETTANT DE FORMER UN FILM CONTENANT DU SILICIUM
(JA) ビスアルキルアミノジシラザン化合物、前記ビスアルキルアミノジシラザン化合物を含むシリコン含有膜形成用の組成物
Abrégé
(EN)
According to the present invention, a silicon-containing film can be formed without deteriorating film quality and increasing decomposition temperature by using a specific bis(alkylamino)disilazane compound as a silicon precursor, and low-temperature film-formation and improved film-forming speed can be achieved without deteriorating film quality in the formation of the silicon-containing film by increasing film-forming speed.
(FR)
La présente invention concerne un film contenant du silicium qui peut être formé sans détériorer la qualité du film et augmenter la température de décomposition à l'aide d'un composé spécifique de bis(alkylamino)disilazane comme précurseur de silicium ; une formation de film à basse température et une vitesse de formation de film améliorée pouvant être obtenues sans détériorer la qualité du film lors de la formation du film contenant du silicium par augmentation de la vitesse de formation de film.
(JA)
特定のビスアルキルアミノジシラザン化合物をシリコン前駆体として用いることで、シリコン含有膜の形成において膜質の低下、および分解温度の高温化を招くことなく、成膜速度を向上させることにより、シリコン含有膜の形成において、膜質の低下を招くことなく成膜温度の低温化と成膜速度向上を可能とする。
Également publié en tant que
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