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1. WO2020116288 - FEUILLE COMPOSITE POUR FORMATION DE FILM DE PROTECTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE

Numéro de publication WO/2020/116288
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046430
Date du dépôt international 27.11.2019
CIB
H01L 23/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
B23K 26/00 2014.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
H01L 21/301 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
CPC
B23K 26/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
H01L 23/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
Déposants
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 古野 健太 FURUNO Kenta
Mandataires
  • 西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi
  • 五十嵐 光永 IGARASHI Koei
  • 加藤 広之 KATO Hiroyuki
Données relatives à la priorité
2018-22852905.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) COMPOSITE SHEET FOR PROTECTIVE FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) FEUILLE COMPOSITE POUR FORMATION DE FILM DE PROTECTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 保護膜形成用複合シート、及び半導体チップの製造方法
Abrégé
(EN)
A composite sheet (101) for protective film formation, which is provided with: a supporting sheet (10); and a film (13) for protective film formation, which is formed on one surface of the supporting sheet. This composite sheet (101) for protective film formation is configured such that: the supporting sheet (10) is provided with a base material (11) and an antistatic layer (17) which is formed on one surface or both surfaces of the base material; the supporting sheet (10) of the composite sheet (101) for protective film formation has a total light transmittance of 85% or more or a haze of 43% or less; and the surface resistivity of the composite sheet (101) for protective film formation is 1.0 × 1011 Ω/□ or less.
(FR)
L'invention concerne une feuille composite (101) pour la formation de film de protection, qui comporte : une feuille de support (10) ; et un film (13) pour la formation de film de protection, qui est formé sur une surface de la feuille de support. Cette feuille composite (101) pour formation de film de protection est configurée de telle sorte que : la feuille de support (10) comporte un matériau de base (11) et une couche antistatique (17) qui est formée sur une surface ou les deux surfaces du matériau de base ; la feuille de support (10) de la feuille composite (101) pour la formation de film de protection a une transmittance de lumière totale de 85 % ou plus ou un trouble de 43 % ou moins ; et la résistivité de surface de la feuille composite (101) pour la formation de film de protection est inférieure ou égale à 1,0 × 1011 Ω/□.
(JA)
支持シート(10)と、前記支持シートの一方の面上に形成された保護膜形成用フィルム(13)と、を備えた、保護膜形成用複合シート(101)であって、前記支持シート(10)は、基材(11)と、前記基材の片面又は両面上に形成された帯電防止層(17)と、を備え、保護膜形成用複合シート(101)の、前記支持シート(10)の全光線透過率を85%以上とするか、ヘーズを43%以下とし、前記保護膜形成用複合シート(101)の表面抵抗率を1.0×1011Ω/□以下とする。
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