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1. WO2020116270 - COMPOSITION POUR DIFFUSION D'IMPURETÉS DU TYPE P ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LADITE COMPOSITION POUR DIFFUSION, ET BATTERIE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2020/116270
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046319
Date du dépôt international 27.11.2019
CIB
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/077 2012.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
075les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN, p.ex. cellules solaires PIN en silicium amorphe
077les dispositifs comprenant des matériaux monocristallins ou polycristallins
H01L 21/225 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
225en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
Déposants
  • 東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 北田剛 KITADA, Tsuyoshi
  • 橘邦彦 TACHIBANA, Kunihiko
  • 秋本旭 AKIMOTO, Akira
Données relatives à la priorité
2018-22958207.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) P-TYPE IMPURITY DIFFUSION COMPOSITION AND PRODUCTION METHOD THEREOF, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAID DIFFUSION COMPOSITION, AND SOLAR BATTERY
(FR) COMPOSITION POUR DIFFUSION D'IMPURETÉS DU TYPE P ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LADITE COMPOSITION POUR DIFFUSION, ET BATTERIE SOLAIRE
(JA) p型不純物拡散組成物とその製造方法、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a p-type impurity diffusion composition which makes possible uniform dispersion on a semiconductor substrate and increasing the storage stability of a coating liquid. This p-type impurity diffusion composition contains (a) at least one resin selected from polyvinyl alcohol and polyethylene oxide, (b) a solvent, and (c) a compound containing a group 13 element, and is characterized in that the pH of the composition is 4-6.5, the solvent (b) contains (b-1) an organic solvent with a boiling point of 110-210°C and (b-2) water, and the amount of water (b-2) is 10-50 mass% of the (b) solvent.
(FR)
Le but de la présente invention est de pourvoir à une composition pour diffusion d'impuretés du type p qui permette de réaliser une dispersion uniforme sur un substrat semi-conducteur et d'augmenter la stabilité au stockage d'un liquide de revêtement. Cette composition pour diffusion d'impuretés du type p contient (a) au moins une résine choisie parmi le poly(alcool vinylique) et le poly(oxyde d'éthylène), (b) un solvant, et (c) un composé contenant un élément du groupe 13, et est caractérisée en ce que le pH de la composition est de 4 à 6,5, le solvant (b) contient (b-1) un solvant organique ayant un point d'ébullition de 110 à 210 °C et (b-2) de l'eau, et la quantité d'eau (b-2) est de 10 à 50 % en masse du solvant (b).
(JA)
半導体基板への均一な拡散と塗布液の保存安定性の向上を可能とするp型不純物拡散組成物を提供することを課題とする。 (a)ポリビニルアルコールおよびポリエチレンオキサイドから選ばれる少なくとも1つの樹脂、 (b)溶媒、および (c)第13族元素を含む化合物 を含むp型不純物拡散組成物であって、組成物のpHが4~6.5であり、(b)溶媒が、(b-1)沸点110℃以上、210℃以下の有機溶媒と(b-2)水とを含み、(b-2)水の量が(b)溶媒中の10~50質量%であることを特徴とするp型不純物拡散組成物。
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