Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020116258 - APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA

Numéro de publication WO/2020/116258
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046237
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
Données relatives à la priorité
2018-22923206.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法
Abrégé
(EN)
Provided is a technology which enables the improvement of plasma uniformity in a parallel plate plasma processing apparatus that has a plasma excitation frequency in the VHF band or in the UHF band. A plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment of the present invention is provided with: a processing container; a stage which is provided within the processing container; a dielectric plate which is provided above the upper surface of the stage with a space within the processing container being interposed therebetween; and an upper electrode which is provided above the dielectric plate. This plasma processing apparatus is configured such that: an air gap is provided between the upper electrode and the dielectric plate; and the width of the air gap is not uniform in the direction in which the dielectric plate extends.
(FR)
L'invention concerne une technologie qui permet d'améliorer l'uniformité du plasma dans un appareil de traitement par plasma à plaques parallèles qui a une fréquence d'excitation de plasma dans la bande VHF ou dans la bande UHF. Un appareil de traitement par plasma selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple de la présente invention comprend : un récipient de traitement ; un étage qui est disposé à l'intérieur du récipient de traitement ; une plaque diélectrique qui est disposée au-dessus de la surface supérieure de l'étage avec un espace à l'intérieur du récipient de traitement interposé entre celles-ci ; et une électrode supérieure qui est disposée au-dessus de la plaque diélectrique. Cet appareil de traitement par plasma est configuré de telle sorte que : un entrefer est prévu entre l'électrode supérieure et la plaque diélectrique ; et la largeur de l'entrefer n'est pas uniforme dans la direction dans laquelle s'étend la plaque diélectrique.
(JA)
プラズマ励起周波数がVHF帯又はUHF帯の平行平板型のプラズマ処理装置において、プラズマの均一性を向上し得る技術を提供する。例示的実施形態に係るプラズマ処理装置は、処理容器と、処理容器内に設けられたステージと、ステージの上面の上方に処理容器内の空間を介して設けられた誘電体板と、誘電体板の上方に設けられた上部電極とを備え、上部電極と誘電体板との間に空隙が設けられ、空隙の幅は、誘電体板の延びる方向において、非一様である。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international