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1. WO2020116250 - APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA

Numéro de publication WO/2020/116250
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046223
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
C23C 16/509 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
50au moyen de décharges électriques
505utilisant des décharges à radiofréquence
509utilisant des électrodes internes
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 池田 太郎 IKEDA Taro
  • 北原 聡文 KITAHARA Toshifumi
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
Données relatives à la priorité
2018-22926206.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Abrégé
(EN)
The present invention provides a plasma processing apparatus which is capable of suppressing the occurrence of an abnormal discharge. A plasma processing apparatus according to the present invention is provided with an upper electrode and a lower electrode, which are arranged within a processing container so as to face each other, and a dielectric shower for gas introduction, which is arranged below the upper electrode; and this plasma processing apparatus generates a plasma in the space between the upper electrode and the lower electrode. This plasma processing apparatus is configured such that the upper electrode is provided with: a slot for introducing VHF waves into the processing container; and a gas flow path which is provided independently from the slot, while being in communication with the dielectric shower.
(FR)
La présente invention concerne un appareil de traitement au plasma qui est capable de supprimer l'apparition d'une décharge anormale. Un appareil de traitement au plasma selon la présente invention est pourvu d'une électrode supérieure et d'une électrode inférieure, agencées à l'intérieur d'un récipient de traitement de façon à se faire face l'une à l'autre, et une douche diélectrique pour l'introduction de gaz, disposée au-dessous de l'électrode supérieure. L'appareil de traitement au plasma génère un plasma dans l'espace entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure. Cet appareil de traitement au plasma est configuré de telle sorte que l'électrode supérieure comporte une fente pour introduire des ondes à très hautes fréquences dans le récipient de traitement ; et un trajet d'écoulement de gaz est disposé indépendamment de la fente, tout en étant en communication avec la douche diélectrique.
(JA)
異常放電を抑制可能なプラズマ処理装置を提供する。処理容器内に対向配置された上部電極及び下部電極と、上部電極の下方に配置されたガス導入用の誘電体シャワーとを備え、上部電極と下部電極との間の空間にプラズマを発生させるプラズマ処理装置において、上部電極は、処理容器内へのVHF波導入用のスロットと、スロットから独立して設けられ、誘電体シャワーに連通したガス流路とを備えている。
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