Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020116247 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET ÉTAGE INFÉRIEUR

Numéro de publication WO/2020/116247
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046216
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H05H 1/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
46utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 池田 太郎 IKEDA Taro
  • 田中 澄 TANAKA Sumi
  • 川上 聡 KAWAKAMI Satoru
  • 平山 昌樹 HIRAYAMA Masaki
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
Données relatives à la priorité
2018-22924906.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND LOWER STAGE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET ÉTAGE INFÉRIEUR
(JA) プラズマ処理装置及び下部ステージ
Abrégé
(EN)
According to the present invention, a plasma processing device which can enhance the in-plane uniformity of plasma and a lower stage used for the same are anticipated. In one exemplary embodiment, the lower stage is for a lower stage which generates plasma with an upper electrode. The lower stage is provided with: a lower dielectric formed of ceramics; a lower electrode embedded in the lower dielectric; and a heating body embedded in the lower dielectric. The separation distance between the upper surface of a central region of the lower dielectric and the lower electrode is not smaller than the separation distance between the upper surface of an outer edge position of the lower dielectric and the lower electrode. The lower electrode has an inclination region inclined with respect to the upper surface between the outer edge position and the central region.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement au plasma qui peut améliorer l'uniformité dans le plan du plasma et un étage inférieur utilisé pour celui-ci. Dans un mode de réalisation cité à titre d'exemple, l'étage inférieur est destiné à un étage inférieur qui génère un plasma avec une électrode supérieure. L'étage inférieur comprend : un diélectrique inférieur formé de céramique ; une électrode inférieure incorporée dans le diélectrique inférieur ; et un corps chauffant intégré dans le diélectrique inférieur. La distance de séparation entre la surface supérieure d'une région centrale du diélectrique inférieur et l'électrode inférieure n'est pas inférieure à la distance de séparation entre la surface supérieure d'une position de bord externe du diélectrique inférieur et de l'électrode inférieure. L'électrode inférieure a une région d'inclinaison inclinée par rapport à la surface supérieure entre la position de bord externe et la région centrale.
(JA)
プラズマの面内均一性を向上可能なプラズマ処理装置及びこれに用いる下部ステージが期待されている。一つの例示的実施形態において、下部ステージは、上部電極との間にプラズマを発生させるための下部ステージを対象とする。下部ステージは、セラミックスからなる下部誘電体と、下部誘電体内に埋設された下部電極と、下部誘電体内に埋設された発熱体と、を備えている。下部誘電体の中央領域の上部表面と下部電極との間の離隔距離よりも、下部誘電体の外縁位置の上部表面と下部電極との間の離隔距離は小さい。下部電極は、上記外縁位置と上記中央領域との間に、上記上部表面に対して傾斜した傾斜領域を有している。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international