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1. WO2020116185 - DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PUCE DE TRAITEMENT DE SIGNAL ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/116185
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/045614
Date du dépôt international 21.11.2019
CIB
H04N 5/341 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
341Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p.ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner
H04N 5/378 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
378Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé , amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 若林 準人 WAKABAYASHI Hayato
Mandataires
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
Données relatives à la priorité
2018-22782105.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE, SIGNAL PROCESSING CHIP, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PUCE DE TRAITEMENT DE SIGNAL ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、信号処理チップ、および、電子機器
Abrégé
(EN)
The technology of the present invention relates to a solid-state imaging device, a signal processing chip, and an electronic apparatus with which the result of detecting an occurrence of an event can be utilized in imaging. The solid-state imaging device comprises: an event detection unit that detects, as an event, a change in an electrical signal generated by each pixel of a pixel array unit; a region-of-interest detection unit that detects, from the event detection result, a region-of-interest of the pixel array unit; and a pixel signal generation unit that generates a pixel signal which constitutes an image of a region corresponding to the region-of-interest. This technology can be applied to, for example, a sensor that detects an event which is a change in an electrical signal of a pixel.
(FR)
La technologie de la présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, une puce de traitement de signal et un appareil électronique avec lesquels le résultat de la détection d'une occurrence d'un événement peut être utilisé en imagerie. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend : une unité de détection d'événement qui détecte, en tant qu'événement, une variation d'un signal électrique généré par chaque pixel d'une unité de matrice de pixels ; une unité de détection de région d'intérêt qui détecte, à partir du résultat de détection d'événement, une région d'intérêt de l'unité de matrice de pixels ; et une unité de génération de signal de pixel qui génère un signal de pixel qui constitue une image d'une région correspondant à la région d'intérêt. Cette technologie peut être appliquée, par exemple, à un capteur qui détecte un événement qui est une variation d'un signal électrique d'un pixel.
(JA)
本技術は、イベントの発生を検出した結果を、撮像に活用することができるようにする固体撮像装置、信号処理チップ、および、電子機器に関する。 固体撮像装置は、画素アレイ部の各画素で発生する電気信号の変化をイベントとして検出するイベント検出部と、イベントの検出結果から、画素アレイ部の注目領域を検出する注目領域検出部と、注目領域に対応する領域の画像を構成する画素信号を生成する画素信号生成部とを備える。本技術は、例えば、画素の電気信号の変化であるイベントを検出するセンサ等に適用できる。
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