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1. WO2020116016 - CAPTEUR THERMIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/116016
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/039498
Date du dépôt international 07.10.2019
CIB
G01N 25/58 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
25Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens thermiques
56en recherchant la teneur en eau
58en mesurant les changements de propriétés du matériau, produits par la chaleur, le froid ou la détente
G01F 1/692 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
FMESURE DES VOLUMES, DES DÉBITS VOLUMÉTRIQUES, DES DÉBITS MASSIQUES OU DU NIVEAU DES LIQUIDES; COMPTAGE VOLUMÉTRIQUE
1Mesure du débit volumétrique ou du débit massique d'un fluide ou d'un matériau solide fluent, dans laquelle le fluide passe à travers le compteur par un écoulement continu
68en utilisant des effets thermiques
684Dispositions de structure; Montage des éléments, p.ex. relativement à l'écoulement de fluide
688utilisant un élément de chauffage, de refroidissement ou de détection d'un type particulier
69du type à résistance
692Dispositions à couche mince
H01L 29/84 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
84commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression
Déposants
  • 日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 佐久間 憲之 SAKUMA, Noriyuki
  • 中野 洋 NAKANO, Hiroshi
  • 小貫 洋 ONUKI, Hiroshi
  • 安藤 亮 ANDO, Ryo
Mandataires
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
2018-22834805.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) THERMAL SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CAPTEUR THERMIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 熱式センサおよびその製造方法並びに半導体装置
Abrégé
(EN)
The objective of the present invention is to improve the performance of a thermal sensor. In a thermal humidity sensor, a gap (space) between a first part (11a) and a second part (11b) forming a heater (11) has embedded therein an insulating film (30) which has a tensile stress and the thickness of which in a film thickness direction is less than the thickness of the heater (11), and a portion of an insulating film (6) having a compressive stress.
(FR)
L'objectif de la présente invention est d'améliorer les performances d'un capteur thermique. Dans un capteur d'humidité thermique, une ouverture (espace) entre une première partie (11a) et une seconde partie (11b) formant un élément chauffant (11) comprend, incorporé dans ce dernier, un film isolant (30) présentant une contrainte de traction et dont l'épaisseur dans une direction d'épaisseur de film est inférieure à l'épaisseur du dispositif de chauffage (11), une partie d'un film isolant (6) présentant une contrainte de compression.
(JA)
熱式センサの性能向上を図る。熱式湿度センサでは、ヒータ(11)を構成する第1部分(11a)と第2部分(11b)との間の隙間(スペース)に、引張応力を有し、かつ、膜厚方向の厚さがヒータ(11)の厚さよりも小さい絶縁膜(30)と、圧縮応力を有する絶縁膜(6)の一部とが埋め込まれている。
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