Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020115980 - APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM

Numéro de publication WO/2020/115980
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/035460
Date du dépôt international 10.09.2019
CIB
C23C 14/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
C23C 14/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
12Composé organique
C23C 14/24 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
24Evaporation sous vide
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
Déposants
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 矢島 貴浩 YAJIMA, Takahiro
  • 中村 文生 NAKAMURA, Fumio
  • 加藤 裕子 KATO, Yuko
  • 植 喜信 UE, Yoshinobu
  • 小倉 祥吾 OGURA, Shougo
Mandataires
  • 大森 純一 OMORI, Junichi
Données relatives à la priorité
2018-22677203.12.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FILM-FORMING APPARATUS AND FILM-FORMING METHOD
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置および成膜方法
Abrégé
(EN)
This film-forming apparatus according to one embodiment comprises: a chamber; a stage; a light source unit; a gas supply unit; and a cleaning unit. The chamber includes a chamber body having a film-forming chamber, and a top plate that has a window section and that is attached to the chamber body. The stage includes a support surface that is disposed in the film-forming chamber and that supports a substrate. The light source unit includes an irradiation source that is installed at the top plate and that irradiates an energy beam onto the support surface via the window section. The gas supply unit supplies, to the film-forming chamber, a raw material gas containing an energy beam-curable resin that is cured by being irradiated with the energy beam. The cleaning unit is connected to the chamber and introduces, to the film-forming chamber, a cleaning gas that removes the energy beam-curable resin that has adhered to the top plate and to the chamber.
(FR)
L'invention concerne un appareil de formation de film qui, selon un mode de réalisation, comprend : une chambre; un étage; une unité de source de lumière; une unité d'alimentation en gaz; et une unité de nettoyage. La chambre comprend un corps de chambre ayant une chambre de formation de film, et une plaque supérieure qui a une section fenêtre et qui est fixée au corps de chambre. L'étage comprend une surface de support qui est disposée dans la chambre de formation de film et qui supporte un substrat. L'unité de source de lumière comprend une source d'irradiation qui est installée au niveau de la plaque supérieure et qui irradie un faisceau d'énergie sur la surface de support par l'intermédiaire de la section fenêtre. L'unité d'alimentation en gaz fournit, à la chambre de formation de film, un gaz de matière première contenant une résine durcissable par faisceau d'énergie qui est durcie en étant irradiée avec le faisceau d'énergie. L'unité de nettoyage est reliée à la chambre et introduit, dans la chambre de formation de film, un gaz de nettoyage qui élimine la résine durcissable par faisceau d'énergie qui a adhéré à la plaque supérieure et à la chambre.
(JA)
本発明の一形態に係る成膜装置は、チャンバと、ステージと、光源ユニットと、ガス供給部と、クリーニングユニットとを具備する。前記チャンバは、成膜室を有するチャンバ本体と、窓部を有し前記チャンバ本体に取り付けられた天板とを有する。前記ステージは、前記成膜室に配置され、基板を支持する支持面を有する。前記光源ユニットは、前記天板に設置され、前記窓部を介してエネルギ線を前記支持面に照射する照射源を有する。前記ガス供給部は、前記エネルギ線の照射を受けて硬化するエネルギ線硬化樹脂を含む原料ガスを前記成膜室に供給する。前記クリーニングユニットは、前記チャンバに接続され、前記天板やチャンバに付着した前記エネルギ線硬化樹脂を除去するクリーニングガスを前記成膜室へ導入する。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international