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1. WO2020115869 - SUBSTRAT POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/115869
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2018/044943
Date du dépôt international 06.12.2018
CIB
H01L 23/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
15Substrats en céramique ou en verre
C04B 37/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
04CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
BCHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
37Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
02avec des articles métalliques
H01L 23/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 23/36 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H05K 1/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
02Détails
H05K 1/03 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
02Détails
03Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
Déposants
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
  • NGKエレクトロデバイス株式会社 NGK ELECTRONICS DEVICES, INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 梅田 勇治 UMEDA, Yuji
Mandataires
  • 新樹グローバル・アイピー特許業務法人 SHINJYU GLOBAL IP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置用基板
Abrégé
(EN)
This substrate for a semiconductor device (2) comprises: a ceramic sintered body (3); a first circuit board (4); and a second circuit board (4'). In the ceramic sintered body (3), when the content of Mg by MgO conversion is S1 mass%, and the content of Zr by ZrO2 conversion is S2 mass%, general formula 1 is established. When the thickness of the first circuit board (4) is T1 mm, the thickness of the second circuit board (4') is T2 mm, and the thickness of the ceramic sintered body (3) is T3 mm, formulas 2, 3, and 4 are established. –0.004 x S2 + 0.171 < S1 < –0.032 x S2 + 1.427 (1) 1.7 < (T1 + T2)/T3 <3.5 (2) T1 ≥ T2 (3) T3 ≥ 0.25 (4)
(FR)
Le présent substrat pour un dispositif à semi-conducteur (2) comprend : un corps fritté en céramique (3) ; une première carte de circuit imprimé (4) ; et une seconde carte de circuit imprimé (4'). Dans le corps fritté en céramique (3), lorsque la teneur en Mg par conversion de MgO est de S1 % en masse, et la teneur en Zr par conversion de ZrO2 est de S2 % en masse, la formule générale 1 est établie. Lorsque l'épaisseur de la première carte de circuit imprimé (4) est de T1 mm, l'épaisseur de la seconde carte de circuit imprimé (4') est de T2 mm, et l'épaisseur du corps fritté en céramique (3) est de T3 mm, les formules 2, 3 et 4 sont établies. –0,004 x S2 + 0,171 < S1 < –0,032 x S2 + 1,427 (1) 1,7 < (T1 + T2)/T3 <3,5 (2) T1 ≥ T2 (3) T3 ≥ 0,25 (4)
(JA)
半導体装置用基板(2)は、セラミックス焼結体(3)と、第1回路板(4)と、第2回路板(4')とを備える。セラミックス焼結体(3)において、MgのMgO換算での含有量をS1質量%とし、ZrのZrO換算での含有量をS2質量%とした場合、下記の式1が成立する。第1回路板(4)の厚さをT1mmとし、第2回路板(4')の厚さをT2mmとし、セラミックス焼結体(3)の厚さをT3mmとした場合、下記の式2、3、4が成立する。 -0.004×S2+0.171<S1<-0.032×S2+1.427・・・(1) 1.7<(T1+T2)/T3<3.5・・・(2) T1≧T2・・・(3) T3≧0.25・・・(4)
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