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1. WO2020115010 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/115010
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/083406
Date du dépôt international 03.12.2019
CIB
H01L 33/52 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
H01L 33/56 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
56Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
CPC
H01L 2933/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0008Processes
005relating to encapsulations
H01L 33/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
H01L 33/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
H01L 33/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • BELLYNCK, Gregory
  • TANGRING, Ivar
Mandataires
  • PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK
Données relatives à la priorité
10 2018 131 296.207.12.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé
(DE)
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer über einer Oberseite des Trägers angeordneten optoelektronischen Halbleiterchipkomponente, zum Anordnen eines ersten Vergussmaterials über der Oberseite des Trägers, zum Anordnen eines zweiten Vergussmaterials über dem ersten Vergussmaterial, wobei das zweite Vergussmaterial eine höhere Dichte aufweist als das erste Vergussmaterial, und zum Einwirkenlassen einer Kraft auf das erste Vergussmaterial und das zweite Vergussmaterial derart, dass das zweite Vergussmaterial in Richtung zur Oberseite des Trägers wandert.
(EN)
The invention relates to a method for producing an optoelectronic component comprising steps of: providing a substrate with an optoelectronic semiconductor chip component arranged on an upper face of the substrate; arranging a first potting material on the upper face of the substrate; arranging a second potting material over the first potting material, the second potting material having a higher density than the first potting material; and allowing a force to act on the first potting material and the second potting material in such a manner that the second potting material migrates towards the upper face of the substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d’un composant optoélectronique, comprenant des étapes suivantes consistant à préparer un support avec un composant de type puce semi-conductrice optoélectronique disposé sur une surface supérieure du support ; déposer un premier matériau d’enrobage sur la surface supérieure du support ; déposer un second matériau d’enrobage sur le premier matériau d’enrobage, le second matériau d’enrobage présentant une densité plus importante que celle du premier matériau d’enrobage ; et laisser agir une force sur le premier matériau d’enrobage et sur le second matériau d’enrobage de manière que le second matériau d’enrobage transite en direction de la surface supérieure du support.
Également publié en tant que
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