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1. WO2020114686 - PROCÉDÉ DE PRÉDICTION DE RENDEMENT D'UN PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/114686
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/079691
Date du dépôt international 30.10.2019
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/705
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
705Modelling and simulation from physical phenomena up to complete wafer process or whole workflow in wafer fabrication
G03F 7/70525
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control, prediction of failure
G03F 7/70616
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • ZHANG, Youping
  • MENCHTCHIKOV, Boris
  • TABERY, Cyrus, Emil
  • ZOU, Yi
  • LIN, Chenxi
  • CHENG, Yana
  • HASTINGS, Simon, Philip, Spencer
  • GENIN, Maxime
Mandataires
  • PETERS, John Antoine
Données relatives à la priorité
62/774,48803.12.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD TO PREDICT YIELD OF A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉDICTION DE RENDEMENT D'UN PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
Described is a method for predicting yield relating to a process of manufacturing semiconductor devices on a substrate, the method comprising: obtaining a trained first model which translates modeled parameters into a yield parameter, said modeled parameters comprising: a) geometrical parameters associated with one or more of: a geometric characteristic, dimension or position of a device element manufactured by the process and b) trained free parameters; obtaining process parameter data comprising process parameters characterizing the process; converting the process parameter data into values of the geometrical parameters; and predicting the yield parameter using the trained first model and the values of the geometrical parameters.
(FR)
L'invention concerne un procédé de prédiction de rendement relatif à un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs sur un substrat, le procédé consistant à : obtenir un premier modèle entraîné qui convertit des paramètres modélisés en un paramètre de rendement, lesdits paramètres modélisés comprenant : a) des paramètres géométriques associés à une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : une caractéristique, une dimension ou une position géométriques d'un élément de dispositif fabriqué par le procédé, et b) des paramètres libres entraînés ; obtenir des données de paramètres de processus comprenant des paramètres de processus caractérisant le processus ; convertir les données de paramètres de processus en valeurs des paramètres géométriques ; et prédire le paramètre de rendement à l'aide du premier modèle entraîné et des valeurs des paramètres géométriques.
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