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1. WO2020114409 - PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/114409
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/122847
Date du dépôt international 04.12.2019
CIB
H01L 27/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
H01L 21/8249
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8248Combination of bipolar and field-effect technology
8249Bipolar and MOS technology
H01L 27/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
Déposants
  • 无锡华润上华科技有限公司 CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 廖远宝 LIAO, Yuanbao
Mandataires
  • 广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE
Données relatives à la priorité
201811478102.905.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PREPARATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体器件制备方法
Abrégé
(EN)
The present application relates to a preparation method for a semiconductor device, comprising: sequentially forming an isolating dielectric layer (220) and a doped semiconductor layer (230) of a first conductivity type on a non-primitive cell area (M) of a semiconductor substrate; performing a first conductivity type of well injection by using the semiconductor layer (230) and the isolating dielectric layer (220) as masks, and forming a well area (213) in a primitive cell area (N); forming an operation structure in the well area (213), and forming a protection structure in the semiconductor layer (230); and forming an interlayer dielectric layer (240) on the operation structure and the protection structure, forming a contact hole in the interlayer dielectric layer (240), forming a metal interconnection layer connected to the contact hole on the interlayer dielectric layer (240), and connecting the operation structure and the protection structure by means of the metal interconnection layer and the contact hole.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de préparation d'un dispositif à semi-conducteur, consistant: à former séquentiellement une couche diélectrique isolante (220) et une couche semi-conductrice dopée (230) d'un premier type de conductivité sur une zone de cellule non primitive (M) d'un substrat semi-conducteur; à effectuer une injection de puits d'un premier type de conductivité en se servant de la couche semi-conductrice (230) et de la couche diélectrique isolante (220) en tant que masques, et à former une zone de puits (213) dans une zone de cellule primitive (N); à former une structure de fonctionnement dans la zone de puits (213), et à former une structure de protection dans la couche semi-conductrice (230); et à former une couche diélectrique intercouche (240) sur la structure de fonctionnement et la structure de protection, à former un trou de contact dans la couche diélectrique intercouche (240), à former une couche d'interconnexion métallique connectée au trou de contact sur la couche diélectrique intercouche (240), et à connecter la structure de fonctionnement et la structure de protection au moyen de la couche d'interconnexion métallique et du trou de contact.
(ZH)
本申请涉及一种半导体器件制备方法,包括:在半导体衬底的非原胞区(M)上依次形成隔离介质层(220)和具有第一导电类型掺杂的半导体层(230);以半导体层(230)和隔离介质层(220)为掩膜进行第一导电类型阱注入,在原胞区(N)形成阱区(213);在阱区(213)内形成工作结构,在半导体层(230)内形成保护结构;在工作结构和保护结构上形成层间介质层(240),并在层间介质层(240)内形成接触孔,在层间介质层(240)上形成与接触孔连接的金属互连层,通过金属互连层和接触孔连接工作结构和保护结构。
Également publié en tant que
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