Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020114073 - TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2020/114073
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/110322
Date du dépôt international 10.10.2019
CIB
H01L 29/739 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739commandés par effet de champ
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 21/331 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
33les dispositifs comportant trois électrodes ou plus
331Transistors
Déposants
  • 珠海格力电器股份有限公司 GREE ELECTRIC APPLIANCES, INC. OF ZHUHAI [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 廖勇波 LIAO, Yongbo
  • 史波 SHI, Bo
  • 肖婷 XIAO, Ting
  • 何昌 HE, Chang
Mandataires
  • 广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE
Données relatives à la priorité
201811464344.203.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND ELECTRICAL DEVICE
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRIQUE
(ZH) 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备
Abrégé
(EN)
Provided in the present application are an insulated gate bipolar transistor and a preparation method therefor, and an electrical device, a polycrystalline silicon layer in a trench of the present insulated gate bipolar transistor being etched to form two polycrystalline silicon layers, and an N-type layer and a P-type layer being additionally disposed at the bottom of the trench; the current paths not only comprise the current path of the structure of an insulated gate bipolar transistor having a traditional wide trench, but also the additional trench current of the bottom and side walls of the trench and the current of the PNP structure in the middle of the bottom of the trench; thus, within the same area, the trench in the present application has a stronger current-carrying capacity.
(FR)
La présente invention concerne un transistor bipolaire à grille isolée et son procédé de préparation, et un dispositif électrique, une couche de silicium polycristallin dans une tranchée du transistor bipolaire à grille isolée étant gravée pour former deux couches de silicium polycristallin, et une couche de type N et une couche de type P étant en outre disposées au fond de la tranchée ; les trajets de courant ne comprennent pas seulement le trajet de courant de la structure d'un transistor bipolaire à grille isolée ayant une tranchée large classique, mais également le courant de tranchée supplémentaire des parois inférieure et latérale de la tranchée et le courant de la structure PNP au milieu du fond de la tranchée ; ainsi, dans la même zone, la tranchée dans la présente invention présente une capacité de transport de courant plus forte.
(ZH)
本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法、电气设备,该绝缘栅双极型晶体管在沟槽内的多晶硅层刻蚀形成两个多晶硅层,并且在沟槽的底部增设了N型层以及P型层,电流路径除了具备传统宽沟槽的绝缘栅双极型晶体管的构造的电流路径外,还新增了沟槽底部侧壁的沟道电流,沟道底部中间的PNP结构的电流,因此,在相同的面积下,本申请中的沟槽的通电能力更强。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international