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1. WO2020113965 - CARTE MÉMOIRE

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说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10  

附图

1   2   3   4   5  

说明书

发明名称 : 一种存储卡

【技术领域】

[0001]
本申请的所公开实施例涉及存储技术领域,且更具体而言,涉及一种存储卡。

【背景技术】

[0002]
SIM卡是(Subscriber Identification Module),也称为用户身份识别卡、智能卡,GSM数字移动电话机必须装上此卡方能使用。SD存储卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备,由于它体积小、数据传输速度快、可热插拔等优良的特性,被广泛地于便携式装置上使用。
[0003]
随着移动终端的发展,现在一般在一个卡托中设置两个卡槽,可以同时安装SIM卡和SD卡。
[0004]
【发明内容】
[0005]
根据本申请的第一方面,提供了一种存储卡。该存储卡能够与标准SIM卡共用卡槽,存储卡和标准SIM卡分别设置有用于定义防呆缺角的缺角边缘,其中当存储卡的其他边缘与标准SIM卡的其他边缘重叠设置时,存储卡的缺角边缘的至少部分位于标准SIM卡的缺角边缘在存储卡上的投影线的外侧,存储卡设置有存储晶片,存储晶片的顶角落入存储卡的缺角边缘与投影线之间。
[0006]
其中,存储晶片的顶角与投影线之间的最短距离不小于0.02mm。
[0007]
其中,存储卡的缺角边缘和投影线分别包括呈直线设置的第一子分段,其中存储卡的第一子分段位于投影线的第一子分段的外侧,存储晶片的顶角位于存储卡的第一子分段和投影线的第一子分段之间。
[0008]
其中,存储卡的缺角边缘和投影线分别包括与各自的第一子分段的两端连接且呈弧形设置的第二子分段和第三子分段,其中
[0009]
所述存储卡的第二子分段和第三子分段中的一个的曲率半径小于或等于所述投影线的第二子分段和第三子分段中的一个的曲率半径,和/或所述存储卡的第二子分段和第三子分段中的另一个的曲率半径大于或等于所述投影线的第二子分段和第三子分段中的另一个的曲率半径。
[0010]
其中,存储卡的第一子分段和投影线的第一子分段彼此平行或成角度设置。
[0011]
其中,标准SIM卡为Nano SIM卡,存储卡进一步包括呈直线设置且彼此平行的两条长边以及呈直线设置且彼此平行的两条短边,其中存储卡的缺角边缘连接一条长边和一条短边,两条长边之间的垂直距离为8.8±0.1mm,两条短边之间的垂直距离为12.3±0.1mm,存储卡的缺角边缘与长边的连接点到存储卡的缺角边缘所连接的短边的垂直距离小于1.65mm,并且/或者存储卡的缺角边缘与短边的连接点到存储卡的缺角边缘所连接的长边的垂直距离小于1.65mm。
[0012]
根据本申请的第二方面,还提供了一种存储卡。该存储卡包括呈直线设置且彼此平行的两条长边、呈直线设置且彼此平行的两条短边以及用于连接一条长边和一条短边的缺角边缘,其中两条长边之间的垂直距离为8.8±0.1mm,两条短边之间的垂直距离为12.3±0.1mm,缺角边缘落在存储卡上的虚拟参考线的外侧,虚拟参考线为位于缺角边缘所连接的长边上且到缺角边缘所连接的短边的垂直距离为1.65mm的第一参考点和位于缺角边缘所连接的短边上且到缺角边缘所连接的长边的垂直距离为1.65mm的第二参考点之间的虚拟连线,存储卡设置有存储晶片,存储晶片的顶角落入缺角边缘与虚拟参考线之间。
[0013]
其中,存储晶片的顶角与虚拟参考线之间的最短距离不小于0.02mm。
[0014]
其中,存储卡的缺角边缘包括呈直线设置的子分段,其中子分段位于虚拟参考线的外侧,存储晶片的顶角位于子分段和虚拟参考线之间。
[0015]
其中,子分段和虚拟参考线彼此平行或呈角度设置。
[0016]
本申请的有益效果有:通过存储卡的缺角边缘的至少部分位于标准SIM卡的缺角边缘在存储卡上的投影线的外侧,这样在存储卡与标准SIM卡共用卡槽的情况下,改进存储卡的防呆缺角,以便于在存储卡内能放置更大面积尺寸的存储晶片,从而提高存储卡的存储容量。

【附图说明】

[0017]
图1是标准SIM卡的示意图;
[0018]
图2是本申请实施例的存储卡的结构示意图;
[0019]
图3是本申请实施例的存储卡的结构示意图;
[0020]
图4是本申请实施例的移动电子设备的结构示意图;以及
[0021]
图5是本申请实施例的移动电子设备中卡托的结构示意图。

【具体实施方式】

[0022]
本说明书及权利要求书通篇中所用的某些用语指代特定部件。如所属领域的技术人员可以理解的是,电子设备制造商可利用不同名称来指代同一个部件。本文并非以名称来区分部件,而是以功能来区分部件。在以下说明书及权利要求书中,用语“包括”是开放式的限定词语,因此其应被解释为意指“包括但不限于…”。
[0023]
为了清楚理解本申请,先对标准SIM卡进行说明。
[0024]
如图1所示,是标准SIM卡的示意图。标准SIM卡100设置有缺角边缘S1,该缺角边缘S1用于定义防呆缺角。标准SIM卡100包括其他边缘,即两个长边L11和L12以及两个短边L13和L14。两个长边L11和L12呈直线设置且彼此平行,两个短边L13和L14呈直线设置且彼此平行。标准SIM卡100的缺角边缘S1与一条长边L11和一条短边L13连接。在一示例中,其他边缘还包括长边L11与短边L14之间的连接段A11、长边L12与短边L13之间的连接段A12以及长边L12与短边L14之间的连接段A13。这些连接段A11、A12和A13可以呈弧形设置,换句话说,长边L11与短边L14之间、长边L12与短边L13之间以及长边L12与短边L14之间进行了弧形设置。
[0025]
标准SIM卡100的缺角边缘S1包括呈直线设置的第一子分段S11、第二子分段S12和第三子分段S13,其中第二子分段S12和第三子分段S13与第一子分段S11的两端连接且呈弧形设置。
[0026]
在本申请中,标准SIM卡100可以为Nano SIM卡。在标准SIM卡100为Nano SIM卡的情况下,两条长边L11和L12之间的垂直距离为8.8±0.1mm,两条短边L13和L14之间的垂直距离为12.3±0.1mm。标准SIM卡100的缺角边缘S1与长边L11的连接点到标准SIM卡100的缺角边缘S1所连接的短边L13的垂直距离为1.65±0.1mm,并且标准SIM卡100的缺角边缘S1与短边L13的连接点到标准SIM卡100的缺角边缘S1所连接的长边L11的垂直距离为1.65±0.1mm。需要说明的是,在本申请中,并不限定标准SIM卡的实际尺寸。
[0027]
如图2所示,是本申请实施例的存储卡的结构示意图。该存储卡200能够与上述实施例中的标准SIM卡100共用卡槽。该存储卡200设置有缺角边缘S2,该缺角边缘S2用于定义防呆缺角。同样地,存储卡200包括其他边缘,即两条长边L21和L22以及两条短边L23和L24。两条长边L21和L22呈直线设置且 彼此平行,两条短边L23和L24呈直线设置且彼此平行。存储卡200的缺角边缘S2连接一条长边L21和一条短边L23。在一示例中,其他边缘还包括长边L21与短边L24之间的连接段A21、长边L22与短边L23之间的连接段A22以及长边L22与短边L24之间的连接段A23。这些连接段A21、A22和A23可以呈弧形设置,换句话说,长边L21与短边L24之间、长边L22与短边L23之间以及长边L22与短边L24之间进行了弧形设置。由于该存储卡200能够与上述实施例中的标准SIM卡100共用卡槽,存储卡200的这些连接段A21、A22和A23与上述标准SIM卡100的这些连接段A11、A12和A13相同。
[0028]
当存储卡200的其他边缘与标准SIM卡100的其他边缘重叠设置时,也就是说,存储卡200的长边L21和L22以及两个短边L23和L24等与标准SIM卡100的长边L11和L12以及两个短边L13和L14等重合时,存储卡200的缺角边缘S2的至少部分位于标准SIM卡100的缺角边缘S1在存储卡200上的投影线S1’的外侧。在图2中,标准SIM卡100的缺角边缘S1在存储卡200上的投影线S1’用虚线表示,以便清楚理解。由于投影线S1’为标准SIM卡100的缺角边缘S1在存储卡200上的投影,投影线S1’实际上就是标准SIM卡100的缺角边缘S1,因此,同样地,投影线S1’包括呈直线设置的第一子分段S11、第二子分段S12和第三子分段S13,其中第二子分段S12和第三子分段S13分别与第一子分段S11的两端连接且呈弧形设置。
[0029]
如图2所示,存储卡200设置有存储晶片210,存储晶片210的顶角落入存储卡200的缺角边缘S2与投影线S1’之间。存储晶片210的容量表示存储卡200的存储容量,而存储晶片210的尺寸越大,存储晶片210的容量越大。因此,相对于标准SIM卡100,存储卡200内所设置的存储晶片210的尺寸更大,从而,存储卡200的存储容量变大。需要说明的是,在图2中,存储晶片210设置于存储卡200内,用虚线表示,同时,仅示出一个存储晶片,本领域技术人员理解的是,存储卡200并不限于仅设置有一个存储晶片。另外,在图2中,存储晶片210的顶角被示出为呈弧形设置,但并不限于此,其顶角还可以为直角设置。
[0030]
在本实施例中,在存储卡200与标准SIM卡100共用卡槽的情况下,改进存储卡200的防呆缺角,以便于在存储卡200内能放置更大面积尺寸的存储晶片,从而提高存储卡200的存储容量。
[0031]
在一实施例中,存储晶片210的顶角与投影线S1’之间的最短距离不小于 0.02mm。
[0032]
进一步地,如图2所示,存储卡200的缺角边缘S2包括呈直线设置的第一子分段S21,其中存储卡200的第一子分段S21位于投影线S1’的第一子分段S11的外侧,存储晶片210的顶角位于存储卡200的第一子分段S21和投影线S1’的第一子分段S11之间。也就是说,存储卡200的表面积大于标准SIM卡的表面积。
[0033]
如图2所示,存储卡200的缺角边缘S2还包括第二子分段S22和第三子分段S23,第二子分段S22和第三子分段S23分别与存储卡200第一子分段S21的两端连接且呈弧形设置。在一示例中,存储卡200的第二子分段S22的曲率半径等于投影线S1’的第二子分段S12的曲率半径,并且存储卡200的第三子分段S23的曲率半径等于投影线S1’的第三子分段S13。在另一示例中,存储卡200的第二子分段S22的曲率半径小于投影线S1’的第二子分段S12的曲率半径,并且存储卡200的第三子分段S23的曲率半径大于投影线S1’的第三子分段S13。在又一示例中,存储卡200的第二子分段S22的曲率半径大于投影线S1’的第二子分段S12的曲率半径,并且存储卡200的第三子分段S23的曲率半径小于投影线S1’的第三子分段S13。
[0034]
在一实施例中,如图2所示,存储卡200的第一子分段S21和投影线S1’的第一子分段S11成角度设置。进一步地,在一示例中,存储卡200的缺角边缘S2的第三子分段S23与标准SIM卡100的缺角边缘S1的第三子分段S13部分重合。在另一示例中,根据实际设计需要,存储卡200的缺角边缘S2的第二子分段S22与标准SIM卡100的缺角边缘S1的第二子分段S12部分重合。
[0035]
在另一实施例中,存储卡200的第一子分段S21和投影线S1’的第一子分段S11彼此平行。此时,存储卡200的缺角边缘S2的第三子分段S23与标准SIM卡100的缺角边缘S1的第三子分段S13大致彼此平行,同样,存储卡200的缺角边缘S2的第二子分段S22与标准SIM卡100的缺角边缘S1的第二子分段S12大致彼此平行。
[0036]
进一步地,当标准SIM卡100为Nano SIM卡时,此时,由于存储卡200与标准SIM卡100共用卡槽,存储卡200的两条长边L21和L22之间的垂直距离为8.8±0.1mm,两条短边L23和L24之间的垂直距离为12.3±0.1mm。
[0037]
在一示例中,存储卡200的缺角边缘S2与长边L21的连接点到存储卡200的缺角边缘S2所连接的短边L23的垂直距离小于1.65mm,并且存储卡200的 缺角边缘S2与短边L23的连接点到存储卡200的缺角边缘S2所连接的长边L21的垂直距离小于1.65mm。也就是说,存储卡200的缺角边缘S2的两端到相应的长边L21和短边L23的垂直距离均小于1.65mm。在另一示例中,存储卡200的缺角边缘S2与长边L21的连接点到存储卡200的缺角边缘S2所连接的短边L23的垂直距离小于1.65mm,或者存储卡200的缺角边缘S2与短边L23的连接点到存储卡200的缺角边缘S2所连接的长边L21的垂直距离小于1.65mm。也就是说,存储卡200的缺角边缘S2的两端到相应的长边L21和短边L23的垂直距离中的一个小于1.65mm。
[0038]
本申请还提供一种存储卡。如图3所示,是本申请实施例的存储卡的示意图。该存储卡300可以称为Nano存储卡。
[0039]
存储卡300包括呈直线设置且彼此平行的两条长边L31和L32、呈直线设置且彼此平行的两条短边L33和L34以及用于连接一条长边L31和一条短边L33的缺角边缘S3,其中两条长边L31和L32之间的垂直距离为8.8±0.1mm,两条短边L33和L34之间的垂直距离为12.3±0.1mm,缺角边缘S3落在存储卡300上的虚拟参考线S的外侧,虚拟参考线S为位于缺角边缘S3所连接的长边L31上且到缺角边缘S3所连接的短边L33的垂直距离为1.65mm的第一参考点D1和位于缺角边缘S3所连接的短边L33上且到缺角边缘S3所连接的长边L31的垂直距离为1.65mm的第二参考点D2之间的虚拟连线。
[0040]
存储卡300设置有存储晶片310,存储晶片310的顶角落入缺角边缘S3与虚拟参考线S之间。存储晶片310的容量表示存储卡300的存储容量,而存储晶片310的尺寸越大,存储晶片310的容量越大。因此,相对于虚拟参考线S,存储卡300内所设置的存储晶片310的尺寸更大,从而,存储卡200的存储容量变大。需要说明的是,在图3中,存储晶片210设置于存储卡200内,用虚线表示,同时,仅示出一个存储晶片,本领域技术人员理解的是,存储卡300并不限于仅设置有一个存储晶片。另外,在图3中,存储晶片310的顶角被示出为呈弧形设置,但并不限于此,其顶角还可以为直角设置。
[0041]
在本实施例中,改进了存储卡300的防呆缺角,以便于在存储卡300内能设置更大面积尺寸的存储晶片,从而提高存储卡300的存储容量。
[0042]
如图3所示,存储卡300还包括长边L31与短边L34之间的连接段A31、长边L32与短边L33之间的连接段A32以及长边L32与短边L34之间的连接段A33。这些连接段A31、A32和A33可以呈弧形设置,换句话说,长边L31与 短边L34之间、长边L32与短边L33之间以及长边L32与短边L34之间进行了弧形设置。
[0043]
在一实施例中,存储晶片310的顶角与虚拟参考线S之间的最短距离不小于0.02mm。
[0044]
进一步地,如图3所示,存储卡300的缺角边缘S3包括呈直线设置的第一子分段S31,其中存储卡300的第一子分段S31位于虚拟参考线S的第一子分段S31的外侧,存储晶片210的顶角位于存储卡300的第一子分段S31和虚拟参考线S之间。
[0045]
如图3所示,存储卡300的缺角边缘S3包括第二子分段S32和第三子分段S33,第二子分段S32和第三子分段S33分别与存储卡300第一子分段S31的两端连接且呈弧形设置。
[0046]
在一实施例中,如图3所示,存储卡300的第一子分段S31和虚拟参考线S成角度设置。
[0047]
在另一实施例中,存储卡300的第一子分段S31和虚拟参考线S彼此平行。
[0048]
如图4所示,是本申请实施例的移动电子设备的结构示意图,该电子设备包括设备主体41和可嵌入设备主体41内部的卡托42。
[0049]
其中,如图5所示,是本申请实施例的移动电子设备中卡托的结构示意图,该卡托42包括SIM卡槽42a和存储卡槽42b,SIM卡槽42a和存储卡槽42b的形状相同,其中,存储卡槽42b用于容置上述实施例中提供的存储卡200或300。
[0050]
可以理解的,在一实施例中,SIM卡槽42a和存储卡槽42b的形状相同,这样上述实施例的存储卡200或300与标准SIM卡100共用相同的卡槽,由于存储卡200或300与标准SIM卡100的防呆缺角不同,因此,SIM卡槽42a和存储卡槽42b的顺序是可交换的,且其以适应于存储卡200或300为基准。可选的,可以在卡托42上印制相应的标示,以便用户在安装SIM卡槽42a和存储卡槽42b时,能够放置正确。
[0051]
在其他实施例中,还可以将两个卡槽横向放置,即SIM卡槽42a的短边和存储卡槽42b的短边相邻。
[0052]
本申请提供的移动电子设备方式的嵌入式卡托上的SIM卡槽和存储卡槽的形状相同,减小了存储卡槽的尺寸,可以相应的减小电子设备内部电路板的面积,节省了电子设备内部的空间,有利于电子设备的轻薄化。
[0053]
所属领域的技术人员易知,可在保持本申请的教示内容的同时对装置及方 法作出诸多修改及变动。因此,以上公开内容应被视为仅受随附权利要求书的范围的限制。

权利要求书

[权利要求 1]
一种存储卡,其特征在于,所述存储卡能够与标准SIM卡共用卡槽,所述存储卡和所述标准SIM卡分别设置有用于定义防呆缺角的缺角边缘,其中当所述存储卡的其他边缘与所述标准SIM卡的其他边缘重叠设置时,所述存储卡的缺角边缘的至少部分位于所述标准SIM卡的缺角边缘在所述存储卡上的投影线的外侧,所述存储卡设置有存储晶片,所述存储晶片的顶角落入所述存储卡的缺角边缘与所述投影线之间。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的存储卡,其特征在于,所述存储晶片的顶角与所述投影线之间的最短距离不小于0.02mm。
[权利要求 3]
根据权利要求1所述的存储卡,其特征在于,所述存储卡的缺角边缘和所述投影线分别包括呈直线设置的第一子分段,其中所述存储卡的第一子分段位于所述投影线的第一子分段的外侧,所述存储晶片的顶角位于所述存储卡的第一子分段和所述投影线的第一子分段之间。
[权利要求 4]
根据权利要求3所述的存储卡,其特征在于,所述存储卡的缺角边缘和所述投影线分别包括与各自的所述第一子分段的两端连接且呈弧形设置的第二子分段和第三子分段,其中所述存储卡的第二子分段和第三子分段中的一个的曲率半径小于或等于所述投影线的第二子分段和第三子分段中的一个的曲率半径,和/或所述存储卡的第二子分段和第三子分段中的另一个的曲率半径大于或等于所述投影线的第二子分段和第三子分段中的另一个的曲率半径。
[权利要求 5]
根据权利要求3所述的存储卡,其特征在于,所述存储卡的第一子分段和所述投影线的第一子分段彼此平行或成角度设置。
[权利要求 6]
根据权利要求1所述的存储卡,其特征在于,所述标准SIM卡为Nano SIM卡,所述存储卡进一步包括呈直线设置且彼此平行的两条长边以及呈直线设置且彼此平行的两条短边,其中所述存储卡的缺角边缘连接一条所述长边和一条所述短边,所述两条长边之间的垂直距离为8.8±0.1mm,所述两条短边之间的垂直距离为12.3±0.1mm,所述存储卡的缺角边缘与所述长边的连接点到所述存储卡的缺角边缘所连接的短边的垂直距离小于1.65mm,并且/或者所述存储卡的缺角边缘与所述短边的连接点到所述存储卡的缺角边缘所连接的长边的垂直距离小于1.65mm。
[权利要求 7]
一种存储卡,其特征在于,所述存储卡包括呈直线设置且彼此平行的两条长边、呈直线设置且彼此平行的两条短边以及用于连接一条所述长边和一条所述短边的缺角边缘,其中所述两条长边之间的垂直距离为8.8±0.1mm,所述两条短边之间的垂直距离为12.3±0.1mm,所述缺角边缘落在所述存储卡上的虚拟参考线的外侧,所述虚拟参考线为位于所述缺角边缘所连接的长边上且到所述缺角边缘所连接的短边的垂直距离为1.65mm的第一参考点和位于所述缺角边缘所连接的短边上且到所述缺角边缘所连接的长边的垂直距离为1.65mm的第二参考点之间的虚拟连线,所述存储卡设置有存储晶片,所述存储晶片的顶角落入所述缺角边缘与所述虚拟参考线之间。
[权利要求 8]
根据权利要求7所述的存储卡,其特征在于,所述存储晶片的顶角与所述虚拟参考线之间的最短距离不小于0.02mm。
[权利要求 9]
根据权利要求7所述的存储卡,其特征在于,所述存储卡的缺角边缘包括呈直线设置的子分段,其中所述子分段位于所述虚拟参考线的外侧,所述存储晶片的顶角位于所述子分段和所述虚拟参考线之间。
[权利要求 10]
根据权利要求9所述的存储卡,其特征在于,所述子分段和所述虚拟参考线彼此平行或呈角度设置。

附图

[ 图 1]  
[ 图 2]  
[ 图 3]  
[ 图 4]  
[ 图 5]