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1. WO2020113613 - STRUCTURE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/113613
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/120171
Date du dépôt international 11.12.2018
CIB
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 29/0688
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0684characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
0688characterised by the particular shape of a junction between semiconductor regions
H01L 29/66742
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66742Thin film unipolar transistors
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Déposants
  • 惠科股份有限公司 HKC CORPORATION LIMITED [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 莫琼花 MO, Qionghua
  • 卓恩宗 CHO, En-Tsung
Mandataires
  • 广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE
Données relatives à la priorité
201811466314.503.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置
Abrégé
(EN)
Provided are a thin film transistor structure, a manufacturing method thereof, and a display device. The method comprises: providing a substrate (10), and sequentially forming a gate (20), a gate insulating layer (30), an active layer (40), a doped layer (50), a source (610), a drain (620) and a channel region (70) on the substrate (10); placing the channel region (70) in a preset gas atmosphere for heating treatment; wherein, the channel region (70) is placed in a nitrogen atmosphere to heat for a first preset time, in a mixed atmosphere of nitrogen and ammonia to heat for a second preset time, in an ammonia atmosphere to heat for a third preset time; or first heating the channel region (70) for a fourth preset time, finally placing in the ammonia atmosphere to heat for a fifth preset time.
(FR)
L’invention concerne une structure de transistor à couches minces, son procédé de fabrication et un dispositif d’affichage. Le procédé consiste à : prendre un substrat (10), et former séquentiellement une grille (20), une couche d'isolation de grille (30), une couche active (40), une couche dopée (50), une source (610), un drain (620) et une zone de canal (70) sur le substrat (10) ; placer la zone de canal (70) dans une atmosphère gazeuse prédéfinie pour un traitement de chauffage, la zone de canal (70) étant placée dans une atmosphère d'azote pour un chauffage pendant un premier temps prédéfini, dans une atmosphère de mélange d'azote et d'ammoniac pour un chauffage pendant un deuxième temps prédéfini et dans une atmosphère d'ammoniac pour un chauffage pendant un troisième temps prédéfini, ou la zone de canal (70) étant d'abord chauffée pendant un quatrième temps prédéfini, et finalement placée dans l'atmosphère d'ammoniac pour un chauffage pendant un cinquième temps prédéfini.
(ZH)
一种薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置。该方法包括:提供一基板(10),并在基板(10)上依次形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)、掺杂层(50)、源极(610)、漏极(620)及沟道区(70);将沟道区(70)置于预设的气体氛围中进行加热处理;其中,将沟道区(70)置于氮气的气氛中加热第一预设时间,在氮气和氨气的混合气氛中加热第二预设时间,在氨气的气氛中加热第三预设时间;或先对沟道区(70)加热第四预设时间,最后置于氨气的气氛中加热第五预设时间。
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