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1. WO2020113598 - STRUCTURE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/113598
Date de publication 11.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/120133
Date du dépôt international 10.12.2018
CIB
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
CPC
H01L 29/0847
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
08with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
0843Source or drain regions of field-effect devices
0847of field-effect transistors with insulated gate
H01L 29/1604
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
1604Amorphous materials
H01L 29/42384
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
42312Gate electrodes for field effect devices
42316for field-effect transistors
4232with insulated gate
42384for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
H01L 29/66765
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66742Thin film unipolar transistors
6675Amorphous silicon or polysilicon transistors
66765Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
H01L 29/78609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78606with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
78609for preventing leakage current
H01L 29/78618
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78606with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
78618characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
Déposants
  • 惠科股份有限公司 HKC CORPORATION LIMITED [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 莫琼花 MO, Qionghua
  • 卓恩宗 CHO, En-Tsung
Mandataires
  • 广州华进联合专利商标代理有限公司 ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE
Données relatives à la priorité
201811466315.X03.12.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置
Abrégé
(EN)
A thin film transistor structure and a manufacturing method therefor, and a display device. The thin film transistor structure comprises a gate electrode (20), a gate insulating layer (30), an active layer (40), a composite doped layer (50), a source electrode (610) and a drain electrode (620) which are formed in order on a substrate (10); the composite doped layer (50) comprises a first N-type lightly doped amorphous silicon layer (510), a second N-type lightly doped amorphous silicon layer (520), a first N-type heavily doped amorphous silicon layer (530), and a second N-type heavily doped amorphous silicon layer (540) which are stacked in order, the ion doping concentration of the first N-type lightly doped amorphous silicon layer (510), the second N-type lightly doped amorphous silicon layer (520), the first N-type heavily doped amorphous silicon layer (530) and the second N-type heavily doped amorphous silicon layer (540) sequentially increasing.
(FR)
L’invention concerne une structure de transistor à couches minces et son procédé de fabrication, et un dispositif d’affichage. La structure de transistor à couches minces comprend une électrode de grille (20), une couche d'isolation de grille (30), une couche active (40), une couche dopée composite (50), une électrode de source (610) et une électrode de drain (620) qui sont formées dans l'ordre sur un substrat (10) ; la couche dopée composite (50) comprend une première couche de silicium amorphe légèrement dopée de type N (510), une seconde couche de silicium amorphe légèrement dopée de type N (520), une première couche de silicium amorphe fortement dopée de type N (530), et une seconde couche de silicium amorphe fortement dopée de type N (540) qui sont empilées dans l'ordre, la concentration de dopage ionique de la première couche de silicium amorphe légèrement dopée de type N (510), la seconde couche de silicium amorphe légèrement dopée de type N (520), la première couche de silicium amorphe fortement dopée de type N (530) et la seconde couche de silicium amorphe fortement dopée de type N (540) augmentant séquentiellement.
(ZH)
一种薄膜晶体管结构及其制作方法、显示装置。该薄膜晶体管结构包括依次形成于基板(10)上的栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)、复合掺杂层(50)及源极(610)与漏极(620);其中,复合掺杂层(50)包括依次层叠的第一N型轻掺杂非晶硅层(510)、第二N型轻掺杂非晶硅层(520)、第一N型重掺杂非晶硅层(530)及第二N型重掺杂非晶硅层(540),第一N型轻掺杂非晶硅层(510)、第二N型轻掺杂非晶硅层(520)、第一N型重掺杂非晶硅层(530)及第二N型重掺杂非晶硅层(540)的离子掺杂浓度依次递增。
Également publié en tant que
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