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1. WO2020112922 - CLASSIFICATION DE DÉFAUTS PAR REGLAGE DE SIGNAUX OPTIQUES À UNE FONCTION D'ÉTALEMENT PONCTUEL

Numéro de publication WO/2020/112922
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/063478
Date du dépôt international 27.11.2019
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/67 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
CPC
G01N 21/9501
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
G06T 2207/10056
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
2207Indexing scheme for image analysis or image enhancement
10Image acquisition modality
10056Microscopic image
G06T 2207/30148
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
2207Indexing scheme for image analysis or image enhancement
30Subject of image; Context of image processing
30108Industrial image inspection
30148Semiconductor; IC; Wafer
G06T 7/001
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
7Image analysis
0002Inspection of images, e.g. flaw detection
0004Industrial image inspection
001using an image reference approach
G06T 7/62
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
7Image analysis
60Analysis of geometric attributes
62of area, perimeter, diameter or volume
Déposants
  • KLA CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • KONECKY, Soren
  • BRAUER, Bjorn
Mandataires
  • MCANDREWS, Kevin
  • MORRIS, Elizabeth M.N.
Données relatives à la priorité
16/355,58415.03.2019US
62/773,83430.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DEFECT CLASSIFICATION BY FITTING OPTICAL SIGNALS TO A POINT-SPREAD FUNCTION
(FR) CLASSIFICATION DE DÉFAUTS PAR REGLAGE DE SIGNAUX OPTIQUES À UNE FONCTION D'ÉTALEMENT PONCTUEL
Abrégé
(EN)
A semiconductor die is inspected using an optical microscope to generate a test image of the semiconductor die. A difference image between the test image of the semiconductor die and a reference image is derived. For each defect of a plurality of defects for the semiconductor die, a point-spread function is fit to the defect as indicated in the difference image and one or more dimensions of the fitted point-spread function are determined. Potential defects of interest in the plurality of defects are distinguished from nuisance defects, based at least in part on the one or more dimensions of the fitted point-spread function for respective defects of the plurality of defects.
(FR)
Selon la présente invention, une puce semi-conductrice est inspectée à l'aide d'un microscope optique afin de générer une image test de la puce semi-conductrice. Une image de différence entre l'image test de la puce semi-conductrice et une image de référence est obtenue. Pour chaque défaut d'une pluralité de défauts de la puce semi-conductrice, une fonction d'étalement ponctuel est ajustée au défaut tel qu'indiqué dans l'image de différence et une ou plusieurs dimensions de la fonction d'étalement ponctuel réglée sont déterminées. Des défauts d'intérêt potentiels dans la pluralité de défauts sont distingués de défauts de nuisance, en fonction, au moins en partie, desdites dimensions de la fonction d'étalement ponctuel réglée en ce qui concerne des défauts respectifs de la pluralité de défauts.
Également publié en tant que
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