Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020112884 - DISPOSITIF DRAM À MULTIPLES DOMAINES DE TENSION

Numéro de publication WO/2020/112884
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/063419
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
G11C 7/06 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
06Amplificateurs de lecture; Circuits associés
G11C 7/08 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
06Amplificateurs de lecture; Circuits associés
08Leur commande
G11C 7/12 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
12Circuits de commande de lignes de bits, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, circuits d'égalisation, pour lignes de bits
G11C 11/408 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
401formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
408Circuits d'adressage
G11C 11/4094 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
401formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
409Circuits de lecture-écriture
4094Circuits de commande ou de gestion de lignes de bits
H01L 27/108 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
108Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
CPC
G11C 11/4074
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
4074Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
G11C 11/4085
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
408Address circuits
4085Word line control circuits, e.g. word line drivers, - boosters, - pull-up, - pull-down, - precharge
G11C 11/4091
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
409Read-write [R-W] circuits 
4091Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating
G11C 11/4094
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
401forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
407for memory cells of the field-effect type
409Read-write [R-W] circuits 
4094Bit-line management or control circuits
G11C 2207/002
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2207Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
002Isolation gates, i.e. gates coupling bit lines to the sense amplifier
G11C 2207/005
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2207Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
005Transfer gates, i.e. gates coupling the sense amplifier output to data lines, I/O lines or global bit lines
Déposants
  • RAMBUS INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • VOGELSANG, Thomas
Mandataires
  • NEUDECK, Alexander, J.
Données relatives à la priorité
62/773,76130.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DRAM DEVICE WITH MULTIPLE VOLTAGE DOMAINS
(FR) DISPOSITIF DRAM À MULTIPLES DOMAINES DE TENSION
Abrégé
(EN)
A dynamic memory array of a DRAM device is operated using a bitline voltage that is greater than the operating (i.e., switching) voltage of a majority of the digital logic circuitry of the DRAM device. The digital logic circuitry is operated using a supply voltage that is lower than the voltage used to store/retrieve data on the bitlines of the DRAM array. This allows lower voltage swing (and thus lower power) digital logic to be used for a majority of the non-storage array logic on the DRAM device – thus reducing the power consumption of the non-storage array logic which, in turn, reduces the power consumption of the DRAM device as a whole.
(FR)
L'invention concerne un réseau de mémoire dynamique d'un dispositif DRAM qui fonctionne à l'aide d'une tension de ligne de bits qui est supérieure à la tension de fonctionnement (c'est-à-dire, la commutation) d'une majorité des circuits logiques numériques du dispositif DRAM. Les circuits logiques numériques fonctionnent à l'aide d'une tension d'alimentation qui est inférieure à la tension utilisée pour stocker/récupérer des données sur les lignes de bits du réseau DRAM. Ceci permet à une logique numérique d'oscillation de tension inférieure (et donc de puissance inférieure) d'être utilisée pour une majorité de la logique de réseau de non-stockage sur le dispositif DRAM, réduisant ainsi la consommation de puissance de la logique de réseau de non-stockage qui, à son tour, réduit la consommation de puissance du dispositif DRAM dans son ensemble.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international