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1. WO2020112715 - PIXEL BASÉ SUR BDI POUR DES LECTURES BASÉES SUR UNE TRAME SYNCHRONE ET DES LECTURES ENTRAÎNÉES PAR DES ÉVÉNEMENTS ASYNCHRONES

Numéro de publication WO/2020/112715
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/063166
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H04N 5/378 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
378Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé , amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
H04N 5/3745 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
CPC
H01L 27/14609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
H04N 5/33
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
33Transforming infra-red radiation
H04N 5/3725
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
372Charge-coupled device [CCD] sensors; Time delay and integration [TDI] registers or shift registers specially adapted for SSIS
3725using frame transfer [FT]
H04N 5/374
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
H04N 5/378
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
378Readout circuits, e.g. correlated double sampling [CDS] circuits, output amplifiers or A/D converters
Déposants
  • BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • STOBIE, James, A.
  • MCGRATH, R., Daniel
Mandataires
  • ASMUS, Scott, J.
Données relatives à la priorité
16/199,91126.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BDI BASED PIXEL FOR SYNCHRONOUS FRAME-BASED & ASYNCHRONOUS EVENT-DRIVEN READOUTS
(FR) PIXEL BASÉ SUR BDI POUR DES LECTURES BASÉES SUR UNE TRAME SYNCHRONE ET DES LECTURES ENTRAÎNÉES PAR DES ÉVÉNEMENTS ASYNCHRONES
Abrégé
(EN)
A hybrid frame-based and event driven pixel, the pixel comprising a frame-based capture circuit, an event-driven capture circuit, and a photodiode in electrical communication with both the frame-based and event-driven capture circuits, wherein the frame based capture circuit is a buffered direct injection circuit, and wherein the event-driven capture circuit is a dynamic vision system circuit.
(FR)
La présente invention concerne un pixel hybride basé sur une trame et entraîné par un événement, le pixel comprenant un circuit de capture basé sur une trame, un circuit de capture entraîné par un événement, et une photodiode en communication électrique avec les circuits de capture basés sur une trame et entraînés par un événement, le circuit de capture basé sur une trame étant un circuit d'injection directe tamponné, et le circuit de capture entraîné par un événement étant un circuit de système de vision dynamique.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international