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1. WO2020112576 - CELLULE DE MÉMOIRE ANALOGIQUE À DOUBLE PRÉCISION ET RÉSEAU

Numéro de publication WO/2020/112576
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/062895
Date du dépôt international 24.11.2019
CIB
G11C 14/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
14Mémoires numériques caractérisées par des dispositions de cellules ayant des propriétés de mémoire volatile et non volatile pour sauvegarder l'information en cas de défaillance de l'alimentation
G06F 3/00 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
3Dispositions d'entrée pour le transfert de données à traiter pour leur donner une forme utilisable par le calculateur; Dispositions de sortie pour le transfert de données de l'unité de traitement à l'unité de sortie, p.ex. dispositions d'interface
G11C 5/02 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
5Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
02Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
G11C 11/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
G11C 13/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
13Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
CPC
G06N 3/06
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
3Computer systems based on biological models
02using neural network models
06Physical realisation, i.e. hardware implementation of neural networks, neurons or parts of neurons
G06N 5/04
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
5Computer systems using knowledge-based models
04Inference methods or devices
G11C 11/223
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
22using ferroelectric elements
223using MOS with ferroelectric gate insulating film
G11C 11/2255
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
22using ferroelectric elements
225Auxiliary circuits
2253Address circuits or decoders
2255Bit-line or column circuits
G11C 11/2257
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
22using ferroelectric elements
225Auxiliary circuits
2253Address circuits or decoders
2257Word-line or row circuits
G11C 11/2273
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
22using ferroelectric elements
225Auxiliary circuits
2273Reading or sensing circuits or methods
Déposants
  • HEFEI RELIANCE MEMORY LIMITED [CN]/[US]
Inventeurs
  • LU, Zhichao
  • ZHAO, Liang
Mandataires
  • CHEN, Weiguo
Données relatives à la priorité
62/773,99130.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DUAL-PRECISION ANALOG MEMORY CELL AND ARRAY
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE ANALOGIQUE À DOUBLE PRÉCISION ET RÉSEAU
Abrégé
(EN)
Dual-precision analog memory cells and arrays are provided. In some embodiments, a memory cell, comprises a non-volatile memory element having an input terminal and at least one output terminal; and a volatile memory element having a plurality of input terminals and an output terminal, wherein the output terminal of the volatile memory element is coupled to the input terminal of the non-volatile memory element, and wherein the volatile memory element comprises: a first transistor coupled between a first supply and a common node, and a second transistor coupled between a second supply and the common node; wherein the common node is coupled to the output terminal of the volatile memory element; and wherein gates of the first and second transistors are coupled to respective ones of the plurality of input terminals of the volatile memory element.
(FR)
L'invention concerne des cellules de mémoire analogique à double précision et des réseaux. Dans certains modes de réalisation, une cellule de mémoire comprend un élément de mémoire non volatile comprenant une borne d'entrée et au moins une borne de sortie; et un élément de mémoire volatile comprenant une pluralité de bornes d'entrée et une borne de sortie, la borne de sortie de l'élément de mémoire volatile étant couplée à la borne d'entrée de l'élément de mémoire non volatile, et l'élément de mémoire volatile comprenant : un premier transistor couplé entre une première alimentation et un noeud commun, et un second transistor couplé entre une seconde alimentation et le noeud commun; le noeud commun étant couplé à la borne de sortie de l'élément de mémoire volatile; et les grilles des premier et second transistors étant couplées à des bornes respectives de la pluralité de bornes d'entrée de l'élément de mémoire volatile.
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