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1. WO2020112339 - PROCÉDÉS DE FORMATION DE COUCHES ISOLANTES À MOTIFS SUR DES COUCHES CONDUCTRICES ET DISPOSITIFS FABRIQUÉS À L'AIDE DE TELS PROCÉDÉS

Numéro de publication WO/2020/112339
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/060813
Date du dépôt international 12.11.2019
CIB
H01L 29/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
08avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/161 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
161comprenant plusieurs des éléments prévus en H01L29/1672
H01L 29/165 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
161comprenant plusieurs des éléments prévus en H01L29/1672
165dans différentes régions semi-conductrices
CPC
G02B 26/005
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
26Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating
004based on a displacement or a deformation of a fluid
005based on electrowetting
H01L 21/02225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
H01L 29/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
08with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
H01L 29/161
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
161including two or more of the elements provided for in group H01L29/16 ; , e.g. alloys
H01L 29/165
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
161including two or more of the elements provided for in group H01L29/16 ; , e.g. alloys
165in different semiconductor regions ; , e.g. heterojunctions
Déposants
  • CORNING INCORPORATED [US]/[US]
Inventeurs
  • WYNNE, Thomas M.
Mandataires
  • HOOD, Michael A.
Données relatives à la priorité
62/771,33226.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS FOR FORMING PATTERNED INSULATING LAYERS ON CONDUCTIVE LAYERS AND DEVICES MANUFACTURED USING SUCH METHODS
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE COUCHES ISOLANTES À MOTIFS SUR DES COUCHES CONDUCTRICES ET DISPOSITIFS FABRIQUÉS À L'AIDE DE TELS PROCÉDÉS
Abrégé
(EN)
A method for forming a patterned insulating layer on a conductive layer can include severing a mask disposed on the conductive layer using photochemical ablation along a perimeter of a central region of the mask. The central region of the mask can be removed to form an opening in the mask, whereby a remaining region of the mask surrounding the opening in the mask covers a corresponding surrounding region of the conductive layer. An insulating layer can be applied to the central region of the conductive layer and the remaining region of the mask. The remaining region of the mask can be removed from the conductive layer to remove an excess portion of the insulating layer disposed on the remaining region of the mask, whereby a remaining portion of the insulating layer corresponding to the opening in the mask defines the patterned insulating layer disposed on the conductive layer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation d'une couche isolante à motifs sur une couche conductrice pouvant comprendre la découpe d'un masque disposé sur la couche conductrice à l'aide d'une ablation photochimique le long d'un périmètre d'une région centrale du masque. La région centrale du masque peut être retirée pour former une ouverture dans le masque, une région restante du masque entourant l'ouverture dans le masque recouvrant ainsi une région environnante correspondante de la couche conductrice. Une couche isolante peut être appliquée sur la région centrale de la couche conductrice et sur la région restante du masque. La région restante du masque peut être retirée de la couche conductrice pour le retrait d'une partie en excès de la couche isolante disposée sur la région restante du masque, une partie restante de la couche isolante correspondant à l'ouverture dans le masque définissant ainsi la couche isolante à motifs disposée sur la couche conductrice.
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