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1. WO2020112330 - DÉPÔT SÉQUENTIEL ET TRAITEMENT PAR PLASMA À HAUTE FRÉQUENCE D'UN FILM DÉPOSÉ SUR DES SUBSTRATS À MOTIFS ET SANS MOTIF

Numéro de publication WO/2020/112330
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/060625
Date du dépôt international 08.11.2019
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/458 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
458caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
CPC
C23C 16/345
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
34Nitrides
345Silicon nitride
C23C 16/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
56After-treatment
H01J 2237/3321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
332Coating
3321CVD [Chemical Vapor Deposition]
H01J 2237/3341
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
334Etching
3341Reactive etching
H01J 37/32155
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32137controlling of the discharge by modulation of energy
32155Frequency modulation
H01J 37/32192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • VATS, Vinayak, Veer
  • YU, Hang
  • KRAUS, Philip, Allan
  • KAMATH, Sanjay, G.
  • DURAND, William, John
  • KALUTARAGE, Lakmal, Charidu
  • MALLICK, Abhijit, B.
  • LI, Changling
  • PADHI, Deenesh
  • SALY, Mark, Joseph
  • CHUA, Thai, Cheng
  • BALSEANU, Mihaela, A.
Mandataires
  • BERNADICOU, Michael, A.
  • BRASK, Justin, K.
Données relatives à la priorité
16/676,09706.11.2019US
62/774,02230.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEQUENTIAL DEPOSITION AND HIGH FREQUENCY PLASMA TREATMENT OF DEPOSITED FILM ON PATTERNED AND UN-PATTERNED SUBSTRATES
(FR) DÉPÔT SÉQUENTIEL ET TRAITEMENT PAR PLASMA À HAUTE FRÉQUENCE D'UN FILM DÉPOSÉ SUR DES SUBSTRATS À MOTIFS ET SANS MOTIF
Abrégé
(EN)
Embodiments disclosed herein include methods of forming high quality silicon nitride films. In an embodiment, a method of depositing a film on a substrate may comprise forming a silicon nitride film over a surface of the substrate in a first processing volume with a deposition process, and treating the silicon nitride film in a second processing volume, wherein treating the silicon nitride film comprises exposing the film to a plasma induced by a modular high-frequency plasma source. In an embodiment, a sheath potential of the plasma is less than 100 V, and a power density of the high-frequency plasma source is approximately 5 W/cm2 or greater, approximately 10 W/cm2 or greater, or approximately 20 W/cm2 or greater.
(FR)
Des modes de réalisation de la présente invention comprennent des procédés de formation de films de nitrure de silicium de haute qualité. Selon un mode de réalisation, un procédé de dépôt d'un film sur un substrat peut consister à former un film de nitrure de silicium sur une surface du substrat dans un premier volume de traitement avec un processus de dépôt, et à traiter le film de nitrure de silicium dans un second volume de traitement, le traitement du film de nitrure de silicium comprenant l'exposition du film à un plasma induit par une source de plasma à haute fréquence modulaire. Selon un mode de réalisation, un potentiel de gaine du plasma est inférieur à 100 V, et une densité de puissance de la source de plasma à haute fréquence est supérieure ou égale à environ 5 W/cm2, supérieure ou égale à environ 10 W/cm2 ou supérieure ou égale à environ 20 W/cm2.
Également publié en tant que
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