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1. WO2020112296 - DÉCODEUR VERTICAL

Numéro de publication WO/2020/112296
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/059037
Date du dépôt international 31.10.2019
CIB
H01L 27/108 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
108Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
CPC
G11C 5/02
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
5Details of stores covered by G11C11/00
02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
G11C 5/063
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
5Details of stores covered by G11C11/00
06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
063Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
G11C 8/10
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
8Arrangements for selecting an address in a digital store
10Decoders
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • REDAELLI, Andrea
  • PELLIZZER, Fabio
Mandataires
  • HARRIS, Philip
Données relatives à la priorité
16/206,00630.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) VERTICAL DECODER
(FR) DÉCODEUR VERTICAL
Abrégé
(EN)
Methods, systems, and devices for a decoder are described. The memory device may include a substrate, an array of memory cells coupled with the substrate, and a decoder coupled with the substrate. The decoder may be configured to apply a voltage to an access line of the array of memory cells as part of an access operation. The decoder may include a first conductive line configured to carry the voltage applied to the access line of the array of memory cells. In some cases, the decoder may include a doped material extending between the first conductive line and the access line of the array of memory cells in a first direction (e.g., away from a surface of the substrate) and the doped material may be configured to selectively couple the first conductive line of the decoder with the access line of the array of memory cells.
(FR)
L’invention concerne des procédés, des systèmes et des dispositifs pour un décodeur. Le dispositif de mémoire peut comprendre un substrat, un réseau de cellules de mémoire couplées au substrat, ainsi qu'un décodeur couplé au substrat. Le décodeur peut être configuré pour appliquer une tension sur une ligne d'accès du réseau de cellules de mémoire dans le cadre d'une opération d'accès. Le décodeur peut comprendre une première ligne conductrice configurée pour transporter la tension appliquée sur la ligne d'accès du réseau de cellules de mémoire. Dans certains cas, le décodeur peut comprendre un matériau dopé s'étendant entre la première ligne conductrice et la ligne d'accès du réseau de cellules de mémoire dans une première direction (par exemple, à distance d'une surface du substrat) et le matériau dopé peut être configuré pour coupler de façon sélective la première ligne conductrice du décodeur à la ligne d'accès du réseau de cellules de mémoire.
Également publié en tant que
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