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1. WO2020111943 - DOPAGE ÉLECTROCHIMIQUE DE MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/111943
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/NL2019/050791
Date du dépôt international 29.11.2019
CIB
H01L 51/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/388 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
38Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, dans ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices
388en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase liquide, p.ex. procédés de diffusion d'alliage
CPC
H01L 21/388
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
34the devices having semiconductor bodies not provided for in groups ; H01L21/0405, H01L21/0445; , H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
38Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions
388using diffusion into or out of a solid from or into a liquid phase, e.g. alloy diffusion processes
H01L 51/002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
002Making n- or p-doped regions
Déposants
  • TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT [NL]/[NL]
Inventeurs
  • HOUTEPEN, Arjan Jeroen
  • EELKEMA, Rienk
  • GUÐJÓNSDÓTTIR, Sólrún
  • EREN, Hamit
Mandataires
  • EDP PATENT ATTORNEYS B.V.
Données relatives à la priorité
202211030.11.2018NL
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROCHEMICAL DOPING OF SEMICONDUCTOR MATERIALS
(FR) DOPAGE ÉLECTROCHIMIQUE DE MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
The invention provides a method for providing a doped semiconductor layer, wherein the method comprises: (i) a charge injection stage comprising imposing a potential difference between a layer arranged on an electrically conductive substrate and a reference electrode, wherein the layer comprises a semiconductor material, and wherein the layer is in fluid contact with an electrolyte solution comprising ions, wherein the layer is porous to the electrolyte solution, thereby introducing ions into the layer; and (ii) an immobilization stage comprising immobilizing the ions in the layer; thereby providing the doped semiconductor layer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fourniture d'une couche semi-conductrice dopée, le procédé comprenant : (I) une étape d'injection de charge consistant à appliquer une différence de potentiel entre une couche disposée sur un substrat électriquement conducteur et une électrode de référence, la couche comprenant un matériau semi-conducteur, et la couche étant en contact fluide avec une solution électrolytique comprenant des ions, la couche étant poreuse à la solution électrolytique, ce qui permet d'introduire des ions dans la couche; et (ii) une étape d'immobilisation consistant à immobiliser les ions dans la couche, ce qui permet d'obtenir la couche semi-conductrice dopée.
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