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1. WO2020111425 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT

Numéro de publication WO/2020/111425
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/007465
Date du dépôt international 20.06.2019
CIB
H01L 33/24 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
24de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/54 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
54ayant une forme particulière
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
CPC
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
24of the light emitting region, e.g. non-planar junction
H01L 33/54
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
54having a particular shape
Déposants
  • 삼성디스플레이 주식회사 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 문수미 MOON, Su Mi
  • 김은주 KIM, Eun Ju
  • 조현민 CHO, Hyun Min
Mandataires
  • 김두식 KIM, Doo Sik
  • 오종한 OH, Jong Han
  • 문용호 MOON, Yong Ho
Données relatives à la priorité
10-2018-014878827.11.2018KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT
(KO) 발광 소자, 이의 제조 방법 및 발광 소자를 구비한 표시 장치
Abrégé
(EN)
A light-emitting element according to one embodiment of the present invention comprises: a bar-shaped light-emitting layered pattern including a first conductive semiconductor layer, an active layer arranged on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer arranged on the active layer; and an insulation film which encompasses an outer side surface of the light-emitting layered pattern and which has an irregular thickness.
(FR)
Un élément électroluminescent selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un motif stratifié électroluminescent en forme de barre comprenant une première couche à semi-conducteur conductrice, une couche active disposée sur la première couche à semi-conducteur conductrice, et une seconde couche à semi-conducteur conductrice disposée sur la couche active; et un film isolant qui englobe une surface latérale externe du motif stratifié électroluminescent et qui a une épaisseur irrégulière.
(KO)
본 발명 실시 예의 발광 소자는 제 1 도전성 반도체층, 상기 제 1 도전성 반도체층 상에 배치된 활성층 및 상기 활성층 상에 배치된 제 2 도전성 반도체층을 포함하는 막대 형상의 발광 적층 패턴; 및 상기 발광 적층 패턴의 외측면을 둘러싸며, 두께가 일정하지 않은 절연 피막을 포함한다.
Également publié en tant que
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