Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020111368 - APPAREIL DE CROISSANCE DE LINGOT

Numéro de publication WO/2020/111368
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2018/015857
Date du dépôt international 13.12.2018
CIB
C30B 15/30 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
30Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
C30B 35/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
35Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
CPC
C30B 15/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 35/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
35Apparatus in general, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or a homogeneous polycrystalline material with defined structure
Déposants
  • 웅진에너지 주식회사 WOONGJIN ENERGY CO., LTD. [KR]/[KR]
  • 일신테크(주) ILSHINTECH.CO.,LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 배준영 BEA, Jun Yeong
  • 이동근 LEE, Dong Geun
  • 오대균 OH, Dae Kyun
  • 이신형 LEE, Sin Hyeong
  • 박승빈 PARK, Seung Bin
  • 남우석 NAM, Woo Seok
  • 박재창 PARK, Jae Chang
  • 신종진 SHIN, Jong Jin
  • 백성선 BAIK, Sung Sun
Mandataires
  • 특허법인 이룸리온 ERUUM & LEEON INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2018-014967628.11.2018KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) INGOT GROWING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE CROISSANCE DE LINGOT
(KO) 잉곳 성장장치
Abrégé
(EN)
Disclosed is an ingot growing apparatus capable of maintaining an orbit value of a cable to be small in spite of elongation of the length of an ingot being produced. In an ingot growing apparatus according to the present invention comprising a pulling driving unit which moves a cable vertically from an upper portion while rotating same to grow an ingot in a chamber provided with a crucible therein, the ingot growing apparatus comprises: a first guide which comes into close contact with the cable so as to restrict movement of the cable in the frontward, rearward, leftward, or rightward direction in the pulling driving unit; a second guide which comes into close contact with the cable at a position apart from the first guide in the downward direction so as to restrict movement of the cable in the frontward, rearward, leftward, or rightward direction in the pulling driving unit; and a guide housing having an upper end to which the first guide is installed and fixed and a lower end to which the second guide is installed and fixed, the guide housing being installed in the pulling driving unit to support the first guide and the second guide.
(FR)
L'invention concerne un appareil de croissance de lingot apte à maintenir basse une valeur d'orbite d'un câble en dépit de l'allongement de la longueur d'un lingot en cours de production. Dans un appareil de croissance de lingot selon la présente invention comprenant une unité d'entraînement de traction qui déplace un câble verticalement à partir d'une partie supérieure tout en le faisant tourner pour faire croître un lingot dans une chambre pourvue d'un creuset en son sein, l'appareil de croissance de lingot comprend : un premier guide qui entre en contact étroit avec le câble de façon à restreindre le mouvement du câble dans un sens vers l'avant, vers l'arrière, vers la gauche ou vers la droite dans l'unité d'entraînement de traction ; un deuxième guide qui entre en contact étroit avec le câble en une position éloignée du premier guide dans un sens vers le bas de façon à restreindre le mouvement du câble dans le sens vers l'avant, vers l'arrière, vers la gauche ou vers la droite dans l'unité d'entraînement de traction ; et un boîtier de guidage présentant une extrémité supérieure sur laquelle le premier guide est installé et fixé et une extrémité inférieure sur laquelle le deuxième guide est installé et fixé, le boîtier de guidage étant installé dans l'unité d'entraînement de traction pour supporter le premier guide et le deuxième guide.
(KO)
생산되는 잉곳의 길이가 길어짐에도 불구하고 케이블의 궤도 값을 작게 유지할 수 있는 잉곳 성장장치가 개시된다. 본 발명에 의한 잉곳 성장장치는 내부에 도가니를 구비한 챔버에서 잉곳을 성장시키기 위하여 상부로부터 케이블을 회전시키면서 승강시키는 인상 구동부를 포함하는 잉곳 성장장치에 있어서, 상기 인상 구동부에서 상기 케이블의 전후좌우 방향의 움직임을 제한하도록 상기 케이블에 밀착되는 제1가이드; 상기 인상 구동부에서 상기 제1가이드로부터 하측 방향으로 이격된 위치에서 상기 케이블의 전후좌우 방향의 움직임을 제한하도록 상기 케이블에 밀착되는 제2가이드; 및 상기 제1가이드는 상단에 장착 고정되고 상기 제2가이드는 하단에 장착 고정되며, 상기 제1가이드와 제2가이드를 지지하도록 상기 인상 구동부에 설치된 가이드 하우징;을 포함한다.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international