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1. WO2020111154 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET FILM STRATIFIÉ POUR MATÉRIAU DE FIXATION TEMPORAIRE

Numéro de publication WO/2020/111154
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046443
Date du dépôt international 27.11.2019
CIB
H01L 21/301 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
CPC
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
Déposants
  • 日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 宮澤 笑 MIYAZAWA Emi
  • 稲葉 貴一 INABA Yoshihito
  • 川守 崇司 KAWAMORI Takashi
  • 大山 恭之 OOYAMA Yasuyuki
  • 西戸 圭祐 NISHIDO Keisuke
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
Données relatives à la priorité
2018-22344829.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND LAMINATE FILM FOR TEMPORARY FIXATION MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET FILM STRATIFIÉ POUR MATÉRIAU DE FIXATION TEMPORAIRE
(JA) 半導体装置の製造方法及び仮固定材用積層フィルム
Abrégé
(EN)
Disclosed is a semiconductor device production method comprising: a preparatory step for preparing a laminate in which a supporting member, a temporary fixation material layer that generates heat upon absorption of light, and a semiconductor member are laminated in this order; and a separation step for separating the semiconductor member from the supporting member by irradiating the temporary fixation material layer of the laminate with light. In this production method, the temporary fixation material layer has a light-absorbing layer that generates heat upon absorption of light and a resin cured product layer comprising a cured product of a curable resin component; the curable resin component comprises a hydrocarbon resin; and the cured product of the curable resin component has a storage elastic modulus of 5-100 MPa at 25°C.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production de dispositif à semi-conducteur comprenant : une étape de préparation consistant à préparer un stratifié dans lequel un élément de support, une couche de matériau de fixation temporaire qui génère de la chaleur lors d'une absorption de lumière et un élément semi-conducteur sont stratifiés selon cet ordre ; et une étape de séparation consistant à séparer l'élément semi-conducteur de l'élément de support par irradiation de lumière de la couche de matériau de fixation temporaire du stratifié. Dans ce procédé de production, la couche de matériau de fixation temporaire a une couche d'absorption de lumière qui génère de la chaleur lors de l'absorption de lumière et une couche de produit durci de résine comprenant un produit durci d'un composant de résine durcissable ; le composant de résine durcissable comprend une résine hydrocarbonée ; et le produit durci du composant de résine durcissable a un module d'élasticité de stockage de 5 à 100 MPa à 25° C.
(JA)
支持部材と、光を吸収して熱を発生する仮固定材層と、半導体部材とがこの順に積層された積層体を準備する準備工程と、積層体における仮固定材層に光を照射して、支持部材から半導体部材を分離する分離工程とを備える半導体装置の製造方法が開示される。当該製造方法は、仮固定材層が、光を吸収して熱を発生する光吸収層と、硬化性樹脂成分の硬化物を含む樹脂硬化物層とを有し、硬化性樹脂成分が、炭化水素樹脂を含み、硬化性樹脂成分の硬化物における25℃の貯蔵弾性率が、5~100MPaである。
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