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1. WO2020111007 - STRATIFIÉ, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, PROCÉDÉS DE FABRICATION DE STRATIFIÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, COMPOSITION ET KIT DE COMPOSITION

Numéro de publication WO/2020/111007
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046010
Date du dépôt international 25.11.2019
CIB
H01L 51/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H05B 33/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
10Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H05B 33/26 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33Sources lumineuses électroluminescentes
12Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
26caractérisées par la composition ou la disposition du matériau conducteur utilisé comme électrode
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 21/283 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
CPC
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 21/283
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01L 51/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H05B 33/10
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Electroluminescent light sources
10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Déposants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
  • アイメック・ヴェーゼットウェー IMEC VZW [BE]/[BE]
Inventeurs
  • 後藤 崇 GOTO Takashi
  • 中村 敦 NAKAMURA Atsushi
  • ケ トゥン フェイ KE Tung Huei
  • ロラン セドリック ROLIN Cedric
Mandataires
  • 特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.
Données relatives à la priorité
2018-22522630.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LAMINATE, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHODS FOR MANUFACTURING LAMINATE AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITION, AND COMPOSITION KIT
(FR) STRATIFIÉ, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, PROCÉDÉS DE FABRICATION DE STRATIFIÉ ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, COMPOSITION ET KIT DE COMPOSITION
(JA) 積層体、有機半導体デバイスおよびそれらの製造方法、並びに、組成物およびその組成物のキット
Abrégé
(EN)
A laminate having, in the sequence listed, a substrate, an organic layer, an electroconductive layer, a protective layer for protecting the surface of the electroconductive layer, and a photosensitive layer. The electroconductive layer is in contact with the organic layer and subjected to wet etching. The photosensitive layer includes a material in which the dissolution rate of the photosensitive layer in a developer solution changes due to the action of light and/or radiation. The present invention also pertains to a method for manufacturing the laminate. The present invention also pertains to an organic semiconductor device having the laminate, and a method for manufacturing the organic semiconductor device. The present invention also pertains to a composition used to form the laminate, and a kit including the composition.
(FR)
L'invention concerne un stratifié ayant, dans la séquence énumérée, un substrat, une couche organique, une couche électroconductrice, une couche de protection pour protéger la surface de la couche électroconductrice, et une couche photosensible. La couche électroconductrice est en contact avec la couche organique et soumise à une gravure humide. La couche photosensible comprend un matériau dans lequel la vitesse de dissolution de la couche photosensible dans une solution de révélateur change en raison de l'action de la lumière et/ou du rayonnement. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication dudit stratifié. La présente invention concerne également un dispositif à semi-conducteur organique ayant le stratifié, et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur organique. La présente invention concerne également une composition utilisée pour former le stratifié, et un kit comprenant la composition.
(JA)
積層体は、基材、有機層、導電層、導電層の表面を保護する保護層、および感光層をこの順に有し、導電層が、有機層に接し、かつ、ウェットエッチングされる対象である。感光層は、感光層の現像液に対する溶解速度が、光および放射線の少なくとも一方の作用により変化する材料を含む。また、本発明は、この積層体の製造方法に関する。また、本発明は、この積層体を有する有機半導体デバイス、およびこの有機半導体デバイスの製造方法に関する。さらに、本発明は、この積層体の形成に使用される組成物およびこの組成物を含むキットに関する。
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