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1. WO2020110619 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/110619
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/043199
Date du dépôt international 05.11.2019
CIB
B23K 26/36 2014.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
KBRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage ou perçage 
36Enlèvement de matière
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/301 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
CPC
B23K 26/36
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
H01L 2224/73204
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73201on the same surface
73203Bump and layer connectors
73204the bump connector being embedded into the layer connector
H01L 2224/81191
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
81using a bump connector
8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
81191wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
H01L 2224/83191
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
83using a layer connector
8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
83191wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Déposants
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 四宮 圭亮 SHINOMIYA Keisuke
Mandataires
  • 特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
2018-22121227.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor device manufacturing method comprising: a step of forming a resin layer (13) on a bump formation surface (2A) of a bumped member (2) on which a plurality of bumps (22) have been formed; and a step of irradiating the resin layer (13) with a laser (LB) to remove the resin layer (13) covering the surface of the bumps (22).
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs comprenant : une étape qui consiste à former une couche de résine (13) sur la surface de formation de bossage (2A) d'un élément (2) pourvu de bossages sur lequel ont été formés une pluralité de bossages (22) ; et une étape qui consiste à exposer la couche de résine (13) à un rayonnement laser (LB) pour éliminer la couche de résine (13) qui recouvre la surface des bossages (22).
(JA)
複数のバンプ(22)が形成されているバンプ付部材(2)のバンプ形成面(2A)に樹脂層(13)を形成する工程と、樹脂層(13)にレーザー(LB)を照射して、バンプ(22)の表面を覆っている樹脂層(13)を除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
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